ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 > PDTD123ET,215
Datasheet下载- 型号： PDTD123ET,215
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PDTD123ET,215由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PDTD123ET,215价格参考。NXP SemiconductorsPDTD123ET,215封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置， Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 500mA 250mW Surface Mount TO-236AB。您可以下载PDTD123ET,215参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PDTD123ET,215 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PDTD123ET,215 是 NXP USA Inc. 推出的一款数字晶体管（内置偏置电阻的NPN型双极结型晶体管），集成了R1=2.2kΩ和R2=10kΩ的基极-发射极分压电阻网络。其典型应用场景包括： 1. 逻辑电平接口转换：直接连接微控制器（如GPIO）驱动LED、继电器或小功率负载，无需外接偏置电阻，简化PCB设计； 2. 开关应用：在消费电子（如手机、平板、遥控器）、家电（如智能插座、LED灯控）中用作低功耗、高速（fₜ≈250MHz）开关，支持5V/3.3V系统； 3. 信号调理与电平位移：在传感器模块中实现弱信号放大或TTL/CMOS电平匹配； 4. 节省空间的替代方案：可替代传统“BJT+两个电阻”的分立方案，提升生产良率并减小占板面积（SOT-23封装，仅2.9×1.3×1.0mm）。 该器件具有高直流电流增益（hFE=30–120 @ Ic=10mA）、低饱和压降（VCE(sat)≤0.15V @ Ic=10mA），适用于中低电流（Ic≤100mA）开关场景，不适用于线性放大或大功率应用。广泛用于便携设备、IoT终端及工业控制板卡中的基础开关电路。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN 250MW TO236AB开关晶体管 - 偏压电阻器 TRANS RET TAPE-7 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,NXP Semiconductors PDTD123ET,215- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PDTD123ET,215 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 300mV @ 2.5mA，50mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 40 @ 50mA，5V |
| 产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
| 供应商器件封装 | SOT-23 (TO-236AB) |
| 其它名称 | 568-6440-6 |
| 典型电阻器比率 | 1 |
| 典型输入电阻器 | 2.2 kOhms |
| 功率-最大值 | 250mW |
| 功率耗散 | 250 mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 发射极-基极电压VEBO | 10 V |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23-3 |
| 峰值直流集电极电流 | 500 mA |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 500mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 2.2k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 2.2k |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 40 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 零件号别名 | PDTD123ET T/R |
| 频率-跃迁 | - |
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