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FJV3105RMTF产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FJV3105RMTF由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FJV3105RMTF价格参考。Fairchild SemiconductorFJV3105RMTF封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)。您可以下载FJV3105RMTF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FJV3105RMTF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FJV3105RMTF 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的预偏置双极型晶体管 (BJT),属于单晶体管类型。以下是其可能的应用场景: 1. 开关应用 - FJV3105RMTF 可用于各种开关电路中,例如继电器驱动、电机控制或 LED 驱动等。由于它是预偏置设计,能够简化电路设计并提高开关速度和效率。 - 在需要快速切换的场合(如高频信号处理或脉宽调制 PWM 控制),该器件表现出色。 2. 放大器电路 - 该晶体管适用于音频放大器、信号放大器或其他低噪声放大应用。预偏置特性使其在小信号放大时更加稳定,减少了失真。 - 它可以作为一级或多级放大器中的关键元件,提供高增益和良好的线性性能。 3. 电源管理 - 在简单的线性稳压器或电流限制电路中,FJV3105RMTF 可以用作调整管或保护元件。它的预偏置功能有助于优化功耗并确保稳定工作。 - 此外,它还可以用于电池充电电路中的电流调节部分。 4. 传感器接口 - 该晶体管适合与各种传感器(如光电二极管、热电偶或压力传感器)配合使用,将微弱信号放大到可检测水平。 - 在工业自动化或物联网设备中,这种应用非常常见。 5. 通信系统 - 在某些低功率射频 (RF) 或模拟通信模块中,FJV3105RMTF 能够充当缓冲器或驱动器,支持信号传输和增强。 - 其高频响应能力使其成为短距离无线通信的理想选择。 6. 消费电子领域 - 包括玩具、家用电器、遥控器等小型电子产品中,该晶体管可用于控制功能或信号处理。 - 它的小封装尺寸和高效能特点非常适合对空间有限的设计要求。 总结来说,FJV3105RMTF 凭借其预偏置特性和稳定的性能,在多种电子设备中都有广泛用途,特别适合需要精确控制和高效运行的场景。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3开关晶体管 - 偏压电阻器 50V/100mA/4.7K 10K |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式分离式半导体 |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,Fairchild Semiconductor FJV3105RMTF- |
数据手册 | |
产品型号 | FJV3105RMTF |
PCN组件/产地 | |
PCN设计/规格 | |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 300mV @ 500µA, 10mA |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 30 @ 5mA,5V |
产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
供应商器件封装 | SOT-23-3(TO-236) |
其它名称 | FJV3105RMTFCT |
典型电阻器比率 | 0.47 |
典型输入电阻器 | 4.7 kOhms |
功率-最大值 | 200mW |
功率耗散 | 0.2 W |
包装 | 剪切带 (CT) |
单位重量 | 60 mg |
发射极-基极电压VEBO | 10 V |
商标 | Fairchild Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
封装/箱体 | SOT-23-3 |
峰值直流集电极电流 | 100 mA |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | NPN |
晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
电流-集电极截止(最大值) | 100nA(ICBO) |
电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 10k |
电阻器-基底(R1)(Ω) | 4.7k |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 30 |
系列 | FJV3105R |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
集电极连续电流 | 0.1 A |
零件号别名 | FJV3105RMTF_NL |
频率-跃迁 | 250MHz |