Datasheet下载- 型号： NSVMMUN2232LT1G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NSVMMUN2232LT1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NSVMMUN2232LT1G价格参考。ON SemiconductorNSVMMUN2232LT1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NSVMMUN2232LT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NSVMMUN2232LT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor（安森美）的NSVMMUN2232LT1G是一款预偏置双极结型晶体管（BJT），属于单NPN结构，集成内置偏置电阻，简化电路设计。该器件广泛应用于便携式电子设备和高密度电路中。 典型应用场景包括： 1. 开关电路：由于其内置偏置电阻，可直接通过逻辑电平驱动，常用于LED驱动、继电器控制、电源开关等数字开关应用，提升系统响应速度与稳定性。 2. 信号放大：适用于小信号放大场合，如传感器信号调理、音频前置放大等，具备良好的线性特性。 3. 逻辑电平转换：在不同电压逻辑系统之间（如3.3V与5V系统）实现电平转换，确保信号兼容性。 4. 便携设备：因采用小型SOT-23封装，节省空间，适合智能手机、平板电脑、可穿戴设备等对尺寸敏感的产品。 5. 汽车电子：该型号符合AEC-Q101车规认证，可用于车载信息娱乐系统、车身控制模块、LED照明控制等环境较严苛的应用。 NSVMMUN2232LT1G具有高可靠性、低功耗和优良的温度稳定性，特别适合需要简化设计、提高生产良率并降低整体成本的场景。其预偏置结构减少了外部电阻需求，缩小PCB面积，加快产品开发周期，是现代电子系统中理想的通用开关元件。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23-3 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NSVMMUN2232LT1G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 1mA，10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 15 @ 5mA，10V |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3 |
| 功率-最大值 | 246mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 4.7k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 4.7k |
| 频率-跃迁 | - |
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