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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MMUN2113LT3G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMUN2113LT3G价格参考。ON SemiconductorMMUN2113LT3G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MMUN2113LT3G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MMUN2113LT3G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMUN2113LT3G 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款预偏置双极性晶体管(BJT),属于单晶体管类别。该器件内部集成了基极偏置电阻,简化了电路设计,常用于开关和数字电路中。 该器件主要应用场景包括: 1. 开关电路:适用于各种小功率开关控制场合,如LED驱动、继电器驱动、电机控制等,提供稳定的开关性能。 2. 逻辑电平转换:用于数字电路中不同电压逻辑电平之间的转换,实现信号隔离与增强。 3. 缓冲驱动器:作为缓冲器用于驱动负载,如小型继电器、风扇、传感器模块等,增强信号驱动能力。 4. 电源管理电路:在电源管理系统中用于控制通断或信号切换,提高系统效率和可靠性。 5. 消费类电子产品:广泛应用于家电、智能设备、便携式电子产品中,用于实现低功耗、高性能的开关控制功能。 6. 工业控制:用于PLC、工业传感器、自动化设备中的信号控制和驱动应用。 该器件采用SOT-23封装,体积小,适合高密度PCB布局,且具备良好的热稳定性和可靠性,适合工业级温度范围使用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PREBIAS PNP 246MW SOT23-3开关晶体管 - 偏压电阻器 SS BR XSTR PNP 50V |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,ON Semiconductor MMUN2113LT3G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MMUN2113LT3G |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 250mV @ 300µA, 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 80 @ 5mA,10V |
| 产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3(TO-236) |
| 典型电阻器比率 | 1 |
| 典型输入电阻器 | 47 kOhms |
| 功率-最大值 | 246mW |
| 功率耗散 | 400 mW |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23-3 |
| 峰值直流集电极电流 | 100 mA |
| 工厂包装数量 | 10000 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 10,000 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
| 电流-集电极截止(最大值) | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 47k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 47k |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 80 |
| 系列 | MMUN2113L |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 集电极连续电流 | 100 mA |
| 频率-跃迁 | - |