Datasheet下载- 型号： PDTC115EU,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PDTC115EU,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PDTC115EU,115价格参考。NXP SemiconductorsPDTC115EU,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PDTC115EU,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PDTC115EU,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PDTC115EU,115 是 NXP USA Inc. 推出的一款预偏置 NPN 型双极结型晶体管（BJT），内置基极-发射极电阻（R₁=100 kΩ）和基极-集电极反馈电阻（R₂=100 kΩ），即“15”后缀对应 100 kΩ/100 kΩ 配置（115 = 100k/100k）。其典型应用聚焦于低功耗、高集成度的数字开关与信号电平转换场景。 主要应用场景包括： ✅ 微控制器（MCU）I/O 口驱动：直接连接 MCU GPIO，无需外置偏置电阻，简化 PCB 设计，可靠驱动 LED、小型继电器或逻辑门输入； ✅ LED 指示灯控制：内置电阻确保饱和导通，实现恒流限幅（典型 Ic ≤ 100 mA），适用于面板指示、状态灯等； ✅ 逻辑电平转换/反相缓冲：支持 1.8 V–5.5 V 输入电压范围，可将低压逻辑（如 3.3 V MCU）安全驱动至 5 V 负载侧，兼作反相器使用； ✅ 电池供电设备中的省空间开关：采用 SOT-323（SC-70）微型封装，尺寸仅 2.0 × 2.1 × 0.9 mm，适用于可穿戴设备、IoT 传感器节点等对面积和功耗敏感的便携式产品； ✅ 替代传统分立 BJT+电阻方案：减少元件数量、贴片点位及 BOM 成本，提升生产良率与可靠性。 注意：不适用于线性放大、高频射频或大电流（>100 mA 连续）场景。典型工作温度范围为 –65°C 至 +150°C，具备良好热稳定性，适合工业及消费类电子环境。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PDTC115EU,115 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 150mV @ 250µA， 5mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 80 @ 5mA，5V |
| 供应商器件封装 | SOT-323 |
| 其它名称 | 934057289115 |
| 功率-最大值 | 200mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-70，SOT-323 |
| 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 20mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 1µA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 100k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 100k |
| 频率-跃迁 | - |
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