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  • 型号: PDTC115EU,115
  • 制造商: NXP Semiconductors
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供PDTC115EU,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PDTC115EU,115价格参考。NXP SemiconductorsPDTC115EU,115封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载PDTC115EU,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PDTC115EU,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Nexperia USA Inc. 生产的 PDTC115EU,115 是一款 预偏置双极性晶体管(BJT),属于晶体管中的单管类型。该器件内部集成一个BJT晶体管和一个用于基极偏置的电阻网络,常用于简化电路设计、减少外部元件数量。

 应用场景包括:

1. 逻辑电平转换:适用于将低电压逻辑信号(如3.3V)转换为高电压控制信号(如5V或更高),常用于数字电路接口。
2. 开关电路:由于其内置偏置电阻,适合用于小型继电器、LED或小型负载的开关控制。
3. 驱动电路:用于驱动继电器、小型电机、风扇或LED背光等低功率设备。
4. 工业控制:在PLC、传感器接口和工业自动化系统中用于信号处理和控制。
5. 消费类电子产品:如家用电器、智能电表、玩具和便携设备中,作为低成本、高可靠性的开关元件。

该器件采用SOT23封装,体积小、便于贴装,适合高密度PCB设计,广泛应用于中低功率的通用开关和逻辑控制电路中。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323

产品分类

晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式

品牌

NXP Semiconductors

数据手册

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产品图片

产品型号

PDTC115EU,115

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

150mV @ 250µA, 5mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

80 @ 5mA,5V

供应商器件封装

SOT-323

其它名称

934057289115
PDTC115EU T/R
PDTC115EU T/R-ND

功率-最大值

200mW

包装

带卷 (TR)

安装类型

表面贴装

封装/外壳

SC-70,SOT-323

晶体管类型

NPN - 预偏压

标准包装

3,000

电压-集射极击穿(最大值)

50V

电流-集电极(Ic)(最大值)

20mA

电流-集电极截止(最大值)

1µA

电阻器-发射极基底(R2)(Ω)

100k

电阻器-基底(R1)(Ω)

100k

频率-跃迁

-

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