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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PDTA113ZS,126由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PDTA113ZS,126价格参考。NXP SemiconductorsPDTA113ZS,126封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载PDTA113ZS,126参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PDTA113ZS,126 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为 PDTA113ZS,126 的晶体管由 NXP USA Inc. 生产,属于 预偏置型双极结型晶体管(BJT),具有单管结构,常用于 数字开关电路 和 逻辑控制电路 中。 该晶体管内置基极偏置电阻,简化了外围电路设计,提高了稳定性和可靠性。其主要应用场景包括: 1. 便携式电子设备:如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的电源管理与开关控制; 2. 消费类电子产品:用于LED驱动、继电器控制、逻辑电平转换等; 3. 工业控制系统:如PLC模块、传感器接口电路、小型电机驱动; 4. 通信设备:用于信号切换、电平调节和接口电路; 5. 汽车电子系统:如车载控制模块、LED照明驱动、车载娱乐系统中的逻辑控制部分。 该器件采用SOT-23封装,体积小、功耗低,适合高密度PCB布局和便携设备使用。其预偏置设计可减少外部元件数量,提高电路稳定性,适用于对成本和空间敏感的应用场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PDTA113ZS,126 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 150mV @ 500µA, 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 35 @ 5mA,5V |
| 供应商器件封装 | TO-92-3 |
| 其它名称 | 934058782126 |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 包装 | 带盒(TB) |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线 |
| 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
| 标准包装 | 2,000 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
| 电流-集电极截止(最大值) | 1µA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 10k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 1k |
| 频率-跃迁 | - |