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- 型号： DTA114GKAT146
- 制造商： ROHM Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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DTA114GKAT146产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供DTA114GKAT146由ROHM Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DTA114GKAT146价格参考。ROHM SemiconductorDTA114GKAT146封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置， Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount SMT3。您可以下载DTA114GKAT146参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有DTA114GKAT146 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
DTA114GKAT146 是由罗姆半导体（Rohm Semiconductor）生产的一款 预偏置双极性晶体管（BJT），属于单晶体管器件。该器件内部集成了基极偏置电阻，简化了外围电路设计，提高了稳定性。 主要应用场景包括： 1. 数字开关电路 由于其内置偏置电阻，适合用于逻辑控制的开关电路，例如在微控制器与负载之间作为驱动开关使用，如控制LED、继电器或小型电机。 2. 信号放大电路 可用于音频信号或小功率模拟信号的放大，适用于低频、小信号处理场景。 3. 电源管理电路 常见于电池供电设备中，如智能手机、穿戴设备、便携式仪器等，用于电源切换或负载控制。 4. 汽车电子系统 应用于车载控制模块中，如车灯控制、传感器信号处理等，具备一定的温度稳定性和可靠性。 5. 工业控制设备 用于工业自动化系统中的信号转换、继电器驱动或传感器接口电路。 特点优势： - 内置偏置电阻，简化电路设计； - 小型封装，适合高密度PCB布局； - 低功耗、响应速度快； - 适合通用逻辑接口。 总结：DTA114GKAT146 主要用于需要简化设计、提高稳定性的开关与小信号放大场景，广泛适用于消费电子、汽车电子和工业控制领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANS PREBIAS PNP 200MW SMT3 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | Rohm Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | DTA114GKAT146 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 300mV @ 500µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 30 @ 5mA，5V |
| 产品目录绘图 |
|
| 供应商器件封装 | SMT3 |
| 其它名称 | DTA114GKAT146-ND |
| 功率-最大值 | 200mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA（ICBO） |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | - |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 10k |
| 频率-跃迁 | 250MHz |
