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- 型号： DTD743EMT2L
- 制造商： ROHM Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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DTD743EMT2L产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供DTD743EMT2L由ROHM Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DTD743EMT2L价格参考。ROHM SemiconductorDTD743EMT2L封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置， Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 30V 200mA 260MHz 150mW Surface Mount VMT3。您可以下载DTD743EMT2L参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有DTD743EMT2L 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Rohm Semiconductor（罗姆半导体）的型号 DTD743EMT2L 是一款带有预偏置电阻的双极型晶体管（BJT），属于数字晶体管的一种，具有内置基极电阻，简化了电路设计并提高了稳定性。 该器件主要适用于以下应用场景： 1. 开关电路：由于其内置基极电阻，可直接通过MCU或逻辑IC进行控制，广泛用于电源开关、继电器驱动、LED驱动等场合。 2. 逻辑电平转换：在数字电路中用于不同电压域之间的信号转换，实现信号隔离与电平匹配。 3. 放大电路：可用于小信号放大应用，如传感器信号的前置放大。 4. 工业自动化设备：如PLC模块、工业控制板中的信号处理和驱动部分。 5. 消费类电子产品：如家电控制板、智能设备中的接口驱动电路。 6. 汽车电子：适用于车载控制模块、传感器接口、指示灯控制等对可靠性要求较高的场景。 该晶体管采用小型表面贴装封装（如SOT-723），适合高密度PCB布局，具备良好的热稳定性和响应速度，适合高频开关应用。由于其集成电阻设计，有助于减少外围元件数量，提高系统可靠性并节省空间。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | Rohm Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | DTD743EMT2L |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 300mV @ 2.5mA，50mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 115 @ 100mA，2V |
| 供应商器件封装 | VMT3 |
| 其它名称 | DTD743EMT2LCT |
| 功率-最大值 | 150mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-723 |
| 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 30V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 200mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 4.7k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 4.7k |
| 频率-跃迁 | 260MHz |
