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产品简介:
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NXP USA Inc. 的 PDTA123EK,115 是一款预偏置型双极结型晶体管(BJT),属于数字晶体管类别,内置基极-发射极电阻,简化了电路设计。该器件广泛应用于需要小型化、高可靠性和低功耗控制的电子系统中。 主要应用场景包括:便携式电子设备中的开关控制,如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的LED驱动或电源管理模块;消费类电子产品如电视、机顶盒和遥控器中的信号切换与逻辑控制;以及各类小型家电和工业控制模块中的继电器或负载驱动。由于其内置偏置电阻,无需外接基极电阻,减少了元件数量和PCB面积,特别适合高密度贴装的SMT设计。 PDTA123EK,115采用SOT-23封装,体积小巧,具备良好的热稳定性和快速开关特性,适用于工作电压较低(通常在50V以内)的低压数字电路。其典型应用为NPN型开关电路,常用于将微控制器输出信号放大以驱动外部负载。 此外,在汽车电子中,该器件也用于非动力系统的控制单元,如车灯控制、传感器接口等,得益于NXP产品的高可靠性与一致性。总体而言,PDTA123EK,115是一款高集成度、易用性强的预偏置晶体管,适用于各类中小电流开关与信号放大场景。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | TRANS PREBIAS PNP 250MW SMT3 |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
品牌 | NXP Semiconductors |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | PDTA123EK,115 |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 150mV @ 500µA, 10mA |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 30 @ 20mA,5V |
供应商器件封装 | SMT3 |
其它名称 | 934057546115 |
功率-最大值 | 250mW |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
标准包装 | 3,000 |
电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
电流-集电极截止(最大值) | 1µA |
电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 2.2k |
电阻器-基底(R1)(Ω) | 2.2k |
频率-跃迁 | - |