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详细数据请看参考数据手册
- 型号： DTB114EKT146
- 制造商： ROHM Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供DTB114EKT146由ROHM Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DTB114EKT146价格参考。ROHM SemiconductorDTB114EKT146封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载DTB114EKT146参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有DTB114EKT146 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Rohm Semiconductor的DTB114EKT146是一款预偏置的双极型晶体管（BJT），属于单晶体管类型。该型号在电路设计中具有多种应用场景，主要体现在其高性能、高可靠性和稳定性上。以下是其典型的应用场景： 1. 开关电路 - DTB114EKT146可以用作高效的开关元件，适用于各种需要快速开关响应的场景，例如继电器驱动、LED驱动和小型电机控制等。 - 其预偏置特性使其能够更稳定地工作在饱和或截止状态，从而减少功耗并提高效率。 2. 信号放大 - 在音频设备、传感器信号处理和其他低噪声放大应用中，该晶体管可以作为信号放大器使用。 - 预偏置设计确保了其在线性区域内的稳定工作，从而提供高质量的信号放大效果。 3. 电源管理 - 该型号适合用于简单的线性稳压器或电流调节器中，特别是在需要精确电流控制的小功率电路中。 - 它能够承受一定的负载变化，同时保持输出电压或电流的稳定性。 4. 保护电路 - DTB114EKT146可用于过流保护、短路保护等电路设计中。通过检测异常电流并迅速切断电路，保护系统免受损害。 - 其预偏置功能有助于提高响应速度和可靠性。 5. 通信设备 - 在无线通信模块、调制解调器等设备中，该晶体管可以用作高频信号的放大或切换元件。 - Rohm的高精度制造工艺保证了其在高频环境下的稳定性能。 6. 消费电子 - 应用于家用电器、遥控器、玩具等产品中，负责驱动小型负载或处理简单的逻辑信号。 - 其紧凑的设计和低功耗特性非常适合便携式设备。 总结 DTB114EKT146凭借其预偏置特性和优异的电气性能，在开关、放大、电源管理和保护电路等领域表现出色。它广泛应用于工业控制、消费电子、通信设备以及汽车电子等行业的中小功率场景中。选择该型号时，需根据具体电路需求考虑其额定参数（如集电极-发射极电压、集电极电流等）以确保最佳性能表现。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PREBIAS PNP 200MW SMT3开关晶体管 - 偏压电阻器 PNP 50V 500MA |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式分离式半导体 |
| 品牌 | ROHM Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,ROHM Semiconductor DTB114EKT146- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | DTB114EKT146 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 300mV @ 2.5mA，50mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 56 @ 50mA，5V |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
| 供应商器件封装 | SMT3 |
| 其它名称 | DTB114EKT146DKR |
| 典型电阻器比率 | 1 |
| 典型输入电阻器 | 10 kOhms |
| 功率-最大值 | 200mW |
| 功率耗散 | 200 mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | ROHM Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SC-59-3 |
| 峰值直流集电极电流 | 500 mA |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 500mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 10k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 10k |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 56 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | - 50 V |
| 集电极连续电流 | - 500 mA |
| 频率-跃迁 | 200MHz |
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