Datasheet下载- 型号： DDTD114EC-7-F
- 制造商： Diodes Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供DDTD114EC-7-F由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DDTD114EC-7-F价格参考。Diodes Inc.DDTD114EC-7-F封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载DDTD114EC-7-F参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有DDTD114EC-7-F 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Diodes Incorporated的DDTD114EC-7-F是一款预偏置的双极晶体管（BJT），属于单晶体管类型。该器件主要应用于需要高性能、低噪声和高增益的电路中，具体应用场景包括： 1. 音频放大器：由于其高增益和低噪声特性，DDTD114EC-7-F非常适合用于音频信号放大，确保声音清晰且失真小。 2. 射频（RF）和无线通信：该晶体管可用于射频信号的放大和处理，适用于无线通信设备中的低噪声放大器（LNA）和混频器等电路。 3. 传感器信号调理：在传感器应用中，该晶体管可以用于放大微弱的传感器信号，提高信号的可检测性和精度。 4. 开关电路：虽然主要用于线性放大，但也可以用作开关元件，在某些低功率开关应用中提供稳定的性能。 5. 电源管理：在一些小型电源管理电路中，该晶体管可以用作电流控制或电压调节元件，实现高效的电源转换。 6. 工业控制：在工业自动化和控制系统中，该晶体管可用于信号放大和驱动小型负载，支持精确的控制功能。 总之，DDTD114EC-7-F凭借其优异的电气特性和预偏置设计，广泛应用于消费电子、通信设备、工业控制和音频设备等领域，能够满足多种复杂电路的需求。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | DDTD114EC-7-F |
| PCN设计/规格 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 300mV @ 2.5mA，50mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 56 @ 50mA，5V |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3 |
| 功率-最大值 | 200mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 500mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 10k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 10k |
| 频率-跃迁 | 200MHz |
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