Datasheet下载- 型号： DTD513ZMT2L
- 制造商： ROHM Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供DTD513ZMT2L由ROHM Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DTD513ZMT2L价格参考。ROHM SemiconductorDTD513ZMT2L封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载DTD513ZMT2L参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有DTD513ZMT2L 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
罗姆半导体（Rohm Semiconductor）的DTD513ZMT2L是一款预偏置双极晶体管（BJT），集成了内置偏置电阻的NPN型晶体管，采用SOT-23小型封装，适用于空间受限的便携式电子设备。其典型应用场景包括： 1. 开关电路：由于集成偏置电阻，DTD513ZMT2L可直接通过数字信号驱动，广泛用于逻辑电平转换、LED驱动、继电器或负载开关等应用，简化电路设计，减少外部元件数量。 2. 信号放大：适用于小信号放大场合，如传感器信号调理、音频前置放大等低频模拟电路。 3. 便携设备：因其小型封装和低功耗特性，常用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备中的电源管理与接口控制。 4. 消费类电子产品：在家电控制板、遥控器、充电器反馈回路中作为驱动或检测开关使用。 5. 工业与汽车电子：可用于温度检测、电机控制或车载信息系统的信号切换，具备良好的稳定性和可靠性。 DTD513ZMT2L的优势在于集成度高、外围电路简洁、响应速度快，适合高密度贴装和自动化生产，是替代传统分立晶体管加电阻组合的理想选择。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | Rohm Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | DTD513ZMT2L |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 300mV @ 5mA，100mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 140 @ 100mA，2V |
| 供应商器件封装 | VMT3 |
| 功率-最大值 | 150mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-723 |
| 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
| 标准包装 | 8,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 12V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 500mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 10k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 1k |
| 频率-跃迁 | 260MHz |
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