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Datasheet下载- 型号： RN1109ACT(TPL3)
- 制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供RN1109ACT(TPL3)由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RN1109ACT(TPL3)价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.RN1109ACT(TPL3)封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载RN1109ACT(TPL3)参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有RN1109ACT(TPL3) 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为 RN1109ACT(TPL3) 的晶体管，属于 Toshiba Semiconductor and Storage（东芝半导体与存储） 旗下的一款 预偏置双极性晶体管（BJT），主要用于 小型电子设备和数字电路中的开关与信号处理应用。 该器件采用 预偏置设计，内部集成了基极电阻，简化了外围电路设计，减少了元件数量，适用于便携式电子产品、消费类电子设备及中低速逻辑控制电路。常见应用场景包括： 1. 逻辑电平转换与缓冲：用于微控制器或数字IC之间的信号转换。 2. 小功率开关电路：如LED驱动、继电器控制、电机控制等。 3. 电源管理电路：在电池供电设备中实现负载切换与节能功能。 4. 传感器接口电路：用于放大或开关来自传感器的微弱信号。 5. 通信模块：在无线模块、蓝牙/Wi-Fi模组中用于信号控制与切换。 该晶体管封装小巧（通常为SOT-23或类似贴片封装），适合高密度PCB布局，广泛应用于手机配件、可穿戴设备、家用电器及工业自动化设备中。由于其集成电阻设计，特别适合对空间和成本敏感的应用场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRAN NPN CST3 50V 100A |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 数据手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1109ACT |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | RN1109ACT(TPL3) |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 150mV @ 250µA， 5mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 70 @ 10mA，5V |
| 供应商器件封装 | CST3 |
| 其它名称 | RN1109ACT(TPL3)DKR |
| 功率-最大值 | 100mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-101，SOT-883 |
| 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 80mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 22k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 47k |
| 频率-跃迁 | - |
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