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产品简介:
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PDTA143EM,315 是 NXP USA Inc. 推出的一款数字晶体管(Digital Transistor, DTR),属于带内置偏置电阻的 NPN 型预偏置双极结型晶体管(BJT)。其内部集成基极-发射极间电阻(R1=4.7 kΩ)和基极-集电极反馈电阻(R2=4.7 kΩ),并采用 SOT-323(SC-70)小型表面贴装封装。 该器件典型应用场景包括: ✅ 低功耗数字逻辑接口电平转换(如 MCU GPIO 驱动 LED、继电器或小功率 MOSFET 栅极); ✅ 简化电路设计的开关应用,如便携式设备中的状态指示灯控制、按键检测、蜂鸣器驱动; ✅ 电池供电设备(如可穿戴设备、遥控器、IoT传感器节点)中替代传统“三极管+两个偏置电阻”方案,节省PCB面积与BOM成本; ✅ 作为反相器或缓冲器使用,输入兼容 TTL/CMOS 电平(VIN ≥ 0.7 V 即可导通),输出饱和压降低(VCE(sat) ≈ 0.1 V @ IC=10 mA),功耗小; ✅ 在工业控制板、家电控制模块中用于信号隔离与弱驱动任务(最大 IC = 100 mA,PD = 250 mW)。 注意:不适用于线性放大或高频模拟电路。其优势在于高可靠性、简化设计、优异的温度稳定性及符合AEC-Q200(汽车级)标准(该型号为工业级,但NXP同系列多有车规版本),广泛用于消费电子与通用嵌入式系统。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT883 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PDTA143EM,315 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 150mV @ 500µA, 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 30 @ 10mA,5V |
| 供应商器件封装 | SOT-883 |
| 其它名称 | 568-2126-1 |
| 功率-最大值 | 250mW |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-101,SOT-883 |
| 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
| 电流-集电极截止(最大值) | 1µA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 4.7k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 4.7k |
| 频率-跃迁 | - |