Datasheet下载- 型号： NSBC123EF3T5G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NSBC123EF3T5G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NSBC123EF3T5G价格参考。ON SemiconductorNSBC123EF3T5G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NSBC123EF3T5G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NSBC123EF3T5G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor（安森美）的NSBC123EF3T5G是一款预偏置型双极结型晶体管（BJT），集成了内置偏置电阻，简化了电路设计。该器件属于NPN型，采用SOT-23F小尺寸表面贴装封装，适合高密度PCB布局。 其主要应用场景包括： 1. 开关电路：由于集成偏置电阻，NSBC123EF3T5G可直接通过数字信号驱动，广泛用于便携式电子设备中的逻辑电平转换、LED开关控制和电源管理开关。 2. 信号放大：适用于低频小信号放大电路，如传感器信号调理、音频前置放大等对空间和功耗敏感的应用。 3. 消费类电子产品：常见于智能手机、平板电脑、可穿戴设备中，用于控制背光、马达驱动或接口电路的通断。 4. 工业与汽车电子：因其高可靠性和温度稳定性，也用于汽车信息娱乐系统、车载传感器接口及小型继电器驱动电路。 5. 便携设备电源管理：在电池供电设备中作为负载开关，实现节能待机与快速响应。 NSBC123EF3T5G的优势在于减少外围元件数量、缩小PCB面积、提升系统可靠性，特别适合追求小型化和高集成度的设计需求。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS DUAL NPN |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | NSBC123EF3T5G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 5mA，10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 8 @ 5mA，10V |
| 供应商器件封装 | * |
| 功率-最大值 | 254mW |
| 包装 | * |
| 安装类型 | * |
| 封装/外壳 | * |
| 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
| 标准包装 | 8,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 2.2k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 2.2k |
| 频率-跃迁 | - |
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