ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 > DTB114GKT146
Datasheet下载- 型号： DTB114GKT146
- 制造商： ROHM Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
DTB114GKT146产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供DTB114GKT146由ROHM Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DTB114GKT146价格参考￥1.27-￥1.36。ROHM SemiconductorDTB114GKT146封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置， Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 500mA 200MHz 200mW Surface Mount SMT3。您可以下载DTB114GKT146参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有DTB114GKT146 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
DTB114GKT146 是罗姆半导体（Rohm Semiconductor）生产的一款预偏置双极型晶体管（BJT），主要用于小信号处理和开关应用。该器件集成了内置偏置电阻，简化了电路设计，提高了稳定性，适用于多种电子设备和系统。 其主要应用场景包括： 1. 数字开关电路：由于内置偏置电阻，DTB114GKT146 可直接用于逻辑信号驱动的开关控制，如微控制器输出扩展、LED驱动、继电器或小型电机控制等。 2. 放大电路：适用于低频小信号放大，如音频前置放大器、传感器信号调理等场景，提供稳定的增益和较低的噪声。 3. 电源管理电路：用于电源切换、负载开关或稳压电路中，实现对电源路径的高效控制。 4. 消费类电子产品：如手机、平板、可穿戴设备、家用电器等，因其体积小、外围电路简单，适合高密度PCB布局。 5. 工业控制与自动化：用于工业传感器、执行器驱动、PLC输入输出接口等场合，提供可靠的信号切换与控制功能。 总之，DTB114GKT146 凭借其集成化设计、高稳定性和易用性，广泛应用于需要小功率开关与信号放大的各类电子系统中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANS PREBIAS PNP 200MW SMT3开关晶体管 - 偏压电阻器 PNP 50V 500MA |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式分离式半导体 |
| 品牌 | ROHM Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,ROHM Semiconductor DTB114GKT146- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | DTB114GKT146 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 300mV @ 2.5mA，50mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 56 @ 50mA，5V |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
| 供应商器件封装 | SMT3 |
| 其它名称 | DTB114GKT146CT |
| 典型输入电阻器 | 10 kOhms |
| 功率-最大值 | 200mW |
| 功率耗散 | 200 mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 发射极-基极电压VEBO | - 5 V |
| 商标 | ROHM Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SC-59-3 |
| 峰值直流集电极电流 | 500 mA |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 500mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA（ICBO） |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 10k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | - |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 56 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | - 50 V |
| 集电极连续电流 | - 500 mA |
| 频率-跃迁 | 200MHz |
