Datasheet下载- 型号： PDTA123EE,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PDTA123EE,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PDTA123EE,115价格参考。NXP SemiconductorsPDTA123EE,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PDTA123EE,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PDTA123EE,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PDTA123EE,115 是由 NXP USA Inc. 生产的一款预偏置双极性晶体管（BJT），属于数字晶体管类别，内置基极-发射极电阻，简化了电路设计。该器件采用 SOT-23 小型表面贴装封装，适合高密度PCB布局。 其主要应用场景包括： 1. 开关电路：由于内置偏置电阻，PDTA123EE,115 非常适合作为电子开关使用，广泛应用于便携式设备中的LED驱动、继电器控制和电源管理模块。 2. 逻辑电平转换：在数字系统中用于不同电压逻辑之间的信号转换，例如将3.3V MCU信号转换为5V系统可识别的电平。 3. 小型电子设备：因其体积小、功耗低，常用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备等消费类电子产品中的信号控制与接口驱动。 4. 传感器驱动与接口：用于驱动各类传感器（如温度、光感传感器）的使能控制或信号放大，提高系统集成度。 5. 工业与汽车电子：适用于车载信息娱乐系统、车身控制模块（如车灯控制）、小型电机驱动等对可靠性和温度范围要求较高的环境。 PDTA123EE,115 具有良好的开关特性、稳定的偏置网络和较宽的工作温度范围，可在-55°C至+150°C环境下工作，适合多种严苛应用。其一体化设计减少了外围元件数量，提高了系统可靠性并降低了整体成本，是现代电子设计中理想的通用型预偏置晶体管解决方案。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PREBIAS PNP 150MW SC75开关晶体管 - 偏压电阻器 PNP W/RES 50V |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,NXP Semiconductors PDTA123EE,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PDTA123EE,115 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 150mV @ 500µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 30 @ 20mA，5V |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
| 供应商器件封装 | SC-75 |
| 其它名称 | 568-2116-6 |
| 典型电阻器比率 | 1 |
| 典型输入电阻器 | 2.2 kOhms |
| 功率-最大值 | 150mW |
| 功率耗散 | 150 mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 发射极-基极电压VEBO | - 10 V |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-75，SOT-416 |
| 封装/箱体 | SC-75-3 |
| 峰值直流集电极电流 | - 100 mA |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 1µA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 2.2k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 2.2k |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 30 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | - 50 V |
| 零件号别名 | PDTA123EE T/R |
| 频率-跃迁 | - |
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