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产品简介:
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SMUN2211T3G 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款预偏置双极性晶体管(BJT),属于单管结构。该器件内部集成了基极偏置电阻,简化了外围电路设计,广泛应用于各种中低功率的开关和放大电路中。 其主要应用场景包括: 1. 数字开关电路:由于内置偏置电阻,适合用于逻辑控制的开关应用,如微控制器驱动继电器、LED或小型电机等负载。 2. 接口电路:用于不同电压电平之间的信号转换,实现系统模块间的电气隔离与信号传输。 3. 传感器驱动电路:在各类传感器信号调理电路中作为缓冲或驱动元件,提升传感器输出能力。 4. 电源管理电路:用于电源切换、负载开关或DC-DC转换器中的控制部分。 5. 消费类电子产品:如智能手机、平板电脑、充电器等设备中的低功耗控制电路。 6. 工业控制:用于PLC、自动控制系统中的信号放大和开关控制。 该器件采用SOT-23封装,体积小、便于贴装,适合高密度PCB布局。其稳定性和可靠性也使其在汽车电子中有一定应用,尤其是在对成本敏感且性能要求适中的场景中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN 230MW SC59 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SMUN2211T3G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 250mV @ 300µA, 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 35 @ 5mA,10V |
| 供应商器件封装 | SC-59 |
| 功率-最大值 | 230mW |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
| 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
| 标准包装 | 10,000 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
| 电流-集电极截止(最大值) | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 10k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 10k |
| 频率-跃迁 | - |