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DTA123EUAT106产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供DTA123EUAT106由ROHM Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DTA123EUAT106价格参考。ROHM SemiconductorDTA123EUAT106封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount UMT3。您可以下载DTA123EUAT106参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有DTA123EUAT106 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Rohm Semiconductor(罗姆半导体)的型号 DTA123EUAT106 是一款 预偏置双极晶体管(BJT),属于单晶体管配置。该器件内部集成了基极电阻,简化了电路设计,提高了稳定性和可靠性。 应用场景包括: 1. 数字开关电路:适用于需要快速开关控制的场合,如逻辑电平转换、驱动LED或小型继电器等。 2. 电源管理电路:用于负载开关、电压调节器中的控制部分,提供稳定的电流放大功能。 3. 传感器接口电路:在传感器信号调理中作为放大器或开关使用,尤其适合低功耗系统。 4. 便携式电子产品:由于其小封装和低功耗特性,广泛应用于手机、平板电脑、穿戴设备等产品中。 5. 汽车电子系统:可用于车载控制模块、照明驱动、电机控制等对可靠性和温度适应性要求较高的环境。 该晶体管具备良好的热稳定性和抗干扰能力,适合高密度PCB布局和自动化装配流程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3开关晶体管 - 偏压电阻器 PNP 50V 100MA |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式分离式半导体 |
| 品牌 | ROHM Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,ROHM Semiconductor DTA123EUAT106- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | DTA123EUAT106 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 300mV @ 500µA, 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 20 @ 5mA,5V |
| 产品目录绘图 |
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| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
| 供应商器件封装 | UMT3 |
| 其它名称 | DTA123EUAT106DKR |
| 典型电阻器比率 | 1 |
| 典型输入电阻器 | 2.2 kOhms |
| 功率-最大值 | 200mW |
| 功率耗散 | 200 mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | ROHM Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-70,SOT-323 |
| 封装/箱体 | UMT-3 |
| 峰值直流集电极电流 | 100 mA |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
| 电流-集电极截止(最大值) | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 2.2k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 2.2k |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 20 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | - 50 V |
| 集电极连续电流 | - 100 mA |
| 频率-跃迁 | 250MHz |