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  • 型号: PDTA123YM,315
  • 制造商: NXP Semiconductors
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供PDTA123YM,315由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PDTA123YM,315价格参考。NXP SemiconductorsPDTA123YM,315封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载PDTA123YM,315参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PDTA123YM,315 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

型号为 PDTA123YM,315 的晶体管,由 Nexperia USA Inc. 生产,属于 预偏置双极性晶体管(BJT),其主要应用场景包括:

该器件集成了一个内置偏置电阻的 NPN 型晶体管,适用于需要简化电路设计、减少外部元件数量的场合。典型应用包括:

1. 逻辑电路接口:用于将数字信号转换为开关控制信号,常用于微控制器与负载之间的接口。
2. 开关电路:在低功率开关应用中,如继电器、LED 和小型电机的驱动电路中,实现高效开关控制。
3. 电源管理:用于电源开关、负载切换等场景,提供稳定可靠的控制功能。
4. 消费类电子产品:如家电、玩具、遥控器等,因其集成电阻,可减少PCB面积和成本。
5. 工业控制:用于工业自动化设备中的信号处理和执行机构控制。

该晶体管采用 SOT-23 封装,体积小、可靠性高,适合高密度贴片生产。其预偏置设计降低了设计复杂度,提高了生产效率和电路稳定性。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT883

产品分类

晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式

品牌

NXP Semiconductors

数据手册

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产品图片

产品型号

PDTA123YM,315

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

150mV @ 500µA, 10mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

35 @ 5mA,5V

供应商器件封装

SOT-883

其它名称

934058823315
PDTA123YM T/R
PDTA123YM T/R-ND

功率-最大值

250mW

包装

带卷 (TR)

安装类型

表面贴装

封装/外壳

SC-101,SOT-883

晶体管类型

PNP - 预偏压

标准包装

10,000

电压-集射极击穿(最大值)

50V

电流-集电极(Ic)(最大值)

100mA

电流-集电极截止(最大值)

1µA

电阻器-发射极基底(R2)(Ω)

10k

电阻器-基底(R1)(Ω)

2.2k

频率-跃迁

-

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