ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 > PDTC114EU,135
Datasheet下载- 型号： PDTC114EU,135
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PDTC114EU,135由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PDTC114EU,135价格参考。NXP SemiconductorsPDTC114EU,135封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置， Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 200mW Surface Mount SC-70。您可以下载PDTC114EU,135参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PDTC114EU,135 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PDTC114EU,135 是由 Nexperia USA Inc. 生产的一款预偏置双极晶体管（BJT），属于数字晶体管类别，内置基极-发射极电阻，简化电路设计。该器件采用SOT-23封装，体积小巧，适合高密度贴装。 其主要应用场景包括便携式电子设备和消费类电子产品中的开关与信号放大功能。典型应用领域有：手机、平板电脑、笔记本电脑等移动设备中的LED驱动、电源管理开关、逻辑电平转换及小型继电器或蜂鸣器控制。由于集成内部电阻，减少了外围元件数量，提高了系统可靠性并节省PCB空间。 此外，PDTC114EU,135 也广泛用于各类家用电器（如电视、空调控制板）、工业控制模块、传感器接口电路以及低功耗微控制器驱动电路中，适用于需要快速开关响应和稳定偏置工作的环境。其高增益特性与良好的温度稳定性，使其在环境变化较大的应用中仍能保持可靠性能。 总之，该型号因其集成化设计、小尺寸和高可靠性，特别适合对空间和功耗敏感的中低电流开关应用场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PDTC114EU,135 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 150mV @ 500µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 30 @ 5mA，5V |
| 供应商器件封装 | SOT-323 |
| 其它名称 | 934044140135 |
| 功率-最大值 | 200mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-70，SOT-323 |
| 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
| 标准包装 | 10,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 1µA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 10k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 10k |
| 频率-跃迁 | - |
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