Datasheet下载- 型号： MUN2130T1G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MUN2130T1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MUN2130T1G价格参考。ON SemiconductorMUN2130T1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MUN2130T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MUN2130T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MUN2130T1G是安森美（ON Semiconductor）生产的一款预偏置型双极结型晶体管（BJT），集成了内置偏置电阻，简化电路设计。该器件常用于中低电流开关应用，典型应用场景包括： 1. 电源开关控制：在便携式设备或嵌入式系统中，用于控制LED、继电器、小型电机等负载的通断，实现高效节能的电源管理。 2. 逻辑电平转换与驱动：适用于微控制器与外围器件之间的信号接口，将低压逻辑信号（如3.3V或5V）转换为更高电压或电流驱动能力的输出，提升系统兼容性。 3. 消费类电子产品：广泛应用于手机、平板、智能家居设备中的小功率开关电路，因其集成电阻可减少外围元件数量，节省PCB空间。 4. 工业控制与传感器驱动：用于驱动光电耦合器、蜂鸣器或各类数字传感器，提供稳定可靠的开关功能。 5. 汽车电子模块：在车载信息娱乐系统、车身控制模块中作为信号放大或负载开关，具备良好的温度稳定性与可靠性。 MUN2130T1G采用SOT-23封装，体积小巧，适合高密度布局；其内置偏置电阻优化了开关特性，防止饱和过度，提高响应速度，降低功耗。整体上，该型号适用于对空间、成本和设计简化有要求的中小功率开关场合。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS PNP 230MW SC59 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MUN2130T1G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 5mA，10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 3 @ 5mA，10V |
| 供应商器件封装 | SC-59 |
| 功率-最大值 | 230mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 1k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 1k |
| 频率-跃迁 | - |
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