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DDTC114TE-7-F产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供DDTC114TE-7-F由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DDTC114TE-7-F价格参考。Diodes Inc.DDTC114TE-7-F封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 。您可以下载DDTC114TE-7-F参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有DDTC114TE-7-F 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Diodes Incorporated 的 DDTC114TE-7-F 是一款预偏置型双极结型晶体管(BJT),集成了内置偏置电阻,简化了电路设计。该器件属于NPN型晶体管,采用小型表面贴装封装(如SOT-23),适合高密度PCB布局。 其主要应用场景包括: 1. 开关电路:由于内置偏置电阻,DDTC114TE-7-F 可直接通过控制输入信号实现快速开关,广泛用于LED驱动、继电器控制、电源管理等数字开关应用,减少外围元件数量,提高可靠性。 2. 逻辑电平转换:在微控制器与较高电压外设之间进行信号电平转换时,该晶体管可作为接口器件,实现低功耗、高效能的信号传递。 3. 便携式电子设备:因其小型封装和低功耗特性,常用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备中的信号放大或开关控制模块。 4. 消费类电子产品:如家用电器控制板、遥控器、传感器信号调理电路等,适用于需要紧凑设计和稳定性能的场合。 5. 工业控制与汽车电子:在车载信息娱乐系统、车身控制模块(如灯光控制)中,提供可靠的信号切换功能,具备良好的温度适应性和稳定性。 DDTC114TE-7-F 的集成电阻设计降低了电路设计复杂度,提升了生产一致性,特别适用于追求小型化和高可靠性的现代电子系统。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN 150MW SOT523开关晶体管 - 偏压电阻器 150MW 10K |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式分离式半导体 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,Diodes Incorporated DDTC114TE-7-F- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | DDTC114TE-7-F |
| PCN设计/规格 | |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 300mV @ 100µA, 1mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 100 @ 1mA,5V |
| 产品目录绘图 |
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| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
| 供应商器件封装 | SOT-523 |
| 其它名称 | DDTC114TE-FDITR |
| 典型输入电阻器 | 10 kOhms |
| 功率-最大值 | 150mW |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOT-523 |
| 封装/箱体 | SOT-523-3 |
| 峰值直流集电极电流 | 100 mA |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
| 电流-集电极截止(最大值) | 500nA(ICBO) |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | - |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 10k |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 100 |
| 系列 | DDTC114T |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 频率-跃迁 | 250MHz |