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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PDTB113ET,215由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PDTB113ET,215价格参考。NXP SemiconductorsPDTB113ET,215封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载PDTB113ET,215参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PDTB113ET,215 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia USA Inc. 的型号为 PDTB113ET,215 的器件是一款预偏置双极性晶体管(BJT),属于单BJT器件。该器件集成了内置偏置电阻,简化了电路设计并减少了外部元件数量。 主要应用场景包括: 1. 数字开关电路:由于集成偏置电阻,适合用于逻辑控制的开关应用,如微控制器输出驱动、继电器或LED控制等。 2. 电源管理电路:适用于低功率电源切换与负载控制,例如在DC-DC转换器中作为开关使用。 3. 接口电路:常用于不同电压域之间的信号转换和隔离,例如将低压MCU信号转换为较高电压电平以驱动外围设备。 4. 消费电子产品:广泛应用于手机、平板电脑、充电器、智能穿戴设备等便携式电子产品中的小功率控制电路。 5. 工业控制:用于传感器信号处理、继电器驱动及小型执行机构控制等场合。 6. 汽车电子:因其可靠性和稳定性,也适用于车载控制系统,如车身电子模块、照明控制等。 该器件采用SOT-23封装,体积小,适合高密度PCB布局,具备良好的热稳定性和可靠性,适用于大批量自动化生产场景。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB开关晶体管 - 偏压电阻器 TRANS RET TAPE-7 |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式分离式半导体 |
品牌 | NXP Semiconductors |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,NXP Semiconductors PDTB113ET,215- |
数据手册 | |
产品型号 | PDTB113ET,215 |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 300mV @ 2.5mA,50mA |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 33 @ 50mA,5V |
产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
供应商器件封装 | SOT-23 (TO-236AB) |
其它名称 | 934058978215 |
典型电阻器比率 | 1 |
典型输入电阻器 | 1 kOhms |
功率-最大值 | 250mW |
包装 | 带卷 (TR) |
商标 | NXP Semiconductors |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
封装/箱体 | SOT-23-3 |
峰值直流集电极电流 | 500 mA |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | PNP |
晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 65 C |
标准包装 | 3,000 |
电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 500mA |
电流-集电极截止(最大值) | 500nA |
电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 1k |
电阻器-基底(R1)(Ω) | 1k |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
零件号别名 | PDTB113ET T/R |
频率-跃迁 | - |