Datasheet下载- 型号： PDTB113ET,215
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PDTB113ET,215由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PDTB113ET,215价格参考。NXP SemiconductorsPDTB113ET,215封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PDTB113ET,215参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PDTB113ET,215 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PDTB113ET,215 是 NXP USA Inc. 推出的一款预偏置 NPN 型双极结型晶体管（BJT），内置基极-发射极电阻（R1=10 kΩ）和基极-集电极反馈电阻（R2=10 kΩ），采用 SOT-23 小型表面贴装封装。其典型应用场景包括： - 数字逻辑接口与电平转换：直接连接微控制器（如 GPIO）驱动负载，无需外置偏置电阻，简化电路设计； - LED 驱动：用于中低电流（≤100 mA）LED 开关控制，如状态指示灯、背光控制等； - 继电器/蜂鸣器驱动：作为开关元件控制小功率电磁负载； - 信号切换与负载开关：在便携式设备（如智能手机、可穿戴设备、IoT传感器节点）中实现低功耗、高集成度的信号通断控制； - 替代传统分立 BJT+电阻方案：提升 PCB 布局密度与生产良率，适用于空间受限、成本敏感的消费电子及工业控制模块。 该器件具备高直流电流增益（hFE 典型值 30–120）、低饱和压降（VCE(sat) ≤ 0.15 V @ IC = 10 mA）、快速开关特性（tf < 10 ns），并符合 AEC-Q101 可靠性标准（部分版本），亦可用于车规级辅助电路（如车身控制模块中的非安全相关开关）。总体适用于对尺寸、BOM 简化和可靠性有较高要求的低压（VCC ≤ 5 V）、中小电流开关应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB开关晶体管 - 偏压电阻器 TRANS RET TAPE-7 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,NXP Semiconductors PDTB113ET,215- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PDTB113ET,215 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 300mV @ 2.5mA，50mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 33 @ 50mA，5V |
| 产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
| 供应商器件封装 | SOT-23 (TO-236AB) |
| 其它名称 | 934058978215 |
| 典型电阻器比率 | 1 |
| 典型输入电阻器 | 1 kOhms |
| 功率-最大值 | 250mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23-3 |
| 峰值直流集电极电流 | 500 mA |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 500mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 1k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 1k |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 零件号别名 | PDTB113ET T/R |
| 频率-跃迁 | - |
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