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产品简介:
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ON Semiconductor(安森美半导体)的SMMUN2211LT3G是一款预偏置的双极型晶体管(BJT),属于单晶体管类别。这种器件广泛应用于需要高性能信号放大和开关功能的电子电路中,以下是其主要应用场景: 1. 音频信号放大: SMMUN2211LT3G适合用于低噪声、高增益的音频放大器设计,特别是在前置放大器或中间级放大器中,能够提供高质量的音频信号处理。 2. 射频(RF)和无线通信: 由于其优异的高频性能,该晶体管可以用于射频信号放大和调制解调电路中,支持无线通信设备中的小信号放大。 3. 传感器信号调理: 在工业和消费类应用中,传感器输出的微弱信号通常需要被放大。这款晶体管可用于构建高精度、低噪声的信号调理电路。 4. 电源管理与稳压电路: 作为开关元件或线性调节器的一部分,SMMUN2211LT3G可用于电压调节、电流控制等场景,确保稳定的电源输出。 5. 电机驱动与控制: 在小型直流电机驱动中,该晶体管可以用作开关或功率放大器,实现对电机速度和方向的精确控制。 6. 测试与测量设备: 高精度仪器中常需要稳定的信号放大和处理能力,这款晶体管能够满足这类需求,提供可靠的工作性能。 7. 消费电子产品: 包括遥控器、玩具和其他便携式设备在内的消费类产品中,该晶体管可用作信号放大或简单的开关控制。 SMMUN2211LT3G凭借其预偏置特性,简化了电路设计,减少了外部元件的需求,同时保证了稳定性和一致性。这些特点使其成为众多模拟和混合信号应用的理想选择。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23 |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
品牌 | ON Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | SMMUN2211LT3G |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 250mV @ 300µA, 10mA |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 35 @ 5mA,10V |
供应商器件封装 | SOT-23 |
功率-最大值 | 246mW |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
标准包装 | 10,000 |
电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
电流-集电极截止(最大值) | 500nA |
电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 10k |
电阻器-基底(R1)(Ω) | 10k |
频率-跃迁 | - |