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产品简介:
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ON Semiconductor(安森美)的NSBA124XF3T5G是一款预偏置双极结型晶体管(BJT),集成了内置偏置电阻的NPN型晶体管,属于晶体管-双极(BJT)-单,预偏置类型。该器件广泛应用于需要简化电路设计、提高可靠性和节省PCB空间的场景。 其主要应用场景包括: 1. 开关电路:由于集成偏置电阻,NSBA124XF3T5G可直接通过数字信号(如来自MCU或逻辑IC的输出)驱动,常用于LED驱动、继电器控制和电源开关等低功率开关应用。 2. 信号放大与电平转换:适用于小信号放大及电压电平转换电路,常见于消费电子、工业控制和通信设备中。 3. 便携式电子产品:因其小型化封装(如SOT-23F)和低功耗特性,广泛用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备等对空间和能效要求高的产品中。 4. 接口电路:在微控制器与外围设备之间作为缓冲或驱动元件,实现信号隔离与增强。 NSBA124XF3T5G的优势在于内置两个串联电阻(通常为基极-电阻网络),减少了外部元件数量,提高了组装效率,降低了故障率。同时,其高可靠性与稳定的电气性能使其适用于工业环境和汽车电子中的非动力系统(如车身控制模块)。 总之,该型号适用于各类中小功率、高集成度的电子控制系统,特别适合追求简洁设计和高稳定性的现代电子设备。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | TRANS PREBIAS DUAL PNP |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
品牌 | ON Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | NSBA124XF3T5G |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 250mV @ 1mA,10mA |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 80 @ 5mA,10V |
供应商器件封装 | * |
功率-最大值 | 254mW |
包装 | * |
安装类型 | * |
封装/外壳 | * |
晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
标准包装 | 8,000 |
电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
电流-集电极截止(最大值) | 500nA |
电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 47k |
电阻器-基底(R1)(Ω) | 22k |
频率-跃迁 | - |