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MMUN2114LT1G产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MMUN2114LT1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMUN2114LT1G价格参考。ON SemiconductorMMUN2114LT1G封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 246mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)。您可以下载MMUN2114LT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MMUN2114LT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMUN2114LT1G 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的预偏置双极型晶体管(BJT),属于单晶体管类型。该器件具有低噪声、高增益和宽频率范围的特点,适用于多种高频和线性应用场合。以下是其主要应用场景: 1. 射频(RF)和无线通信 - MMUN2114LT1G 的高频特性使其非常适合用于射频放大器设计,例如低噪声放大器(LNA)或中频放大器。 - 在无线通信设备中,可用于信号放大、混频器驱动以及调制解调电路。 2. 音频放大 - 该晶体管的高增益和低失真特性使其成为音频前置放大器的理想选择,适合需要高质量音频信号放大的场景。 - 可用于耳机放大器、麦克风前置放大器等应用。 3. 传感器信号调理 - 在传感器信号处理中,MMUN2114LT1G 可用作信号放大器,将微弱的传感器输出信号放大到可检测或处理的水平。 - 常见于压力传感器、温度传感器和光电传感器等应用。 4. 工业控制 - 在工业自动化领域,该晶体管可用于信号隔离、放大和缓冲,特别是在需要高稳定性和低噪声的场合。 - 可作为驱动器的一部分,用于控制小型继电器、电机或其他负载。 5. 测试与测量设备 - 在精密测量仪器中,MMUN2114LT1G 可用于放大微弱输入信号,确保测量结果的准确性和可靠性。 - 适用于示波器、频谱分析仪等设备中的信号处理部分。 6. 医疗电子 - 在医疗设备中,如心电图(ECG)、脑电图(EEG)等生物信号采集系统,该晶体管可用于放大低幅值的生物电信号。 - 其低噪声性能有助于提高信号质量,减少干扰。 7. 消费类电子产品 - 在便携式设备中,如收音机、对讲机等,该晶体管可用于音频和射频信号的放大。 - 也可用于简单的电源管理电路,提供稳定的电流输出。 总结 MMUN2114LT1G 的高性能特点使其在需要低噪声、高增益和高频响应的应用中表现出色。无论是通信、音频处理还是工业控制领域,这款晶体管都能提供可靠的解决方案。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | TRANS PREBIAS PNP 246MW SOT23-3开关晶体管 - 偏压电阻器 100mA 50V BRT PNP |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式分离式半导体 |
品牌 | ON Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,ON Semiconductor MMUN2114LT1G- |
数据手册 | |
产品型号 | MMUN2114LT1G |
PCN设计/规格 | |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 250mV @ 300µA, 10mA |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 80 @ 5mA,10V |
产品目录页面 | |
产品种类 | Transistors Bipolar- Bias Resistor |
供应商器件封装 | SOT-23-3(TO-236) |
其它名称 | MMUN2114LT1GOSDKR |
典型电阻器比率 | 0.21 |
典型输入电阻器 | 10 kOhms |
功率-最大值 | 246mW |
功率耗散 | 246 mW |
包装 | Digi-Reel® |
商标 | ON Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
封装/箱体 | SOT-23-3 |
峰值直流集电极电流 | 100 mA |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | PNP |
晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
电流-集电极截止(最大值) | 500nA |
电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 47k |
电阻器-基底(R1)(Ω) | 10k |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 80 |
系列 | MMUN2114L |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
集电极连续电流 | 0.1 A |
频率-跃迁 | - |