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  • 型号: PDTA123JU,115
  • 制造商: NXP Semiconductors
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PDTA123JU,115产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供PDTA123JU,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PDTA123JU,115价格参考。NXP SemiconductorsPDTA123JU,115封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200mW Surface Mount SC-70。您可以下载PDTA123JU,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PDTA123JU,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

PDTA123JU,115 是由 Nexperia USA Inc. 生产的一款预偏置双极型晶体管(BJT),属于晶体管 - 双极 (BJT) - 单类别。以下是其主要应用场景的概述:

 1. 信号放大
   - 该型号适用于低噪声、高增益的信号放大电路,例如音频设备中的前置放大器或无线通信系统中的射频信号放大。
   - 预偏置设计使其能够更方便地集成到需要稳定工作点的放大电路中。

 2. 开关应用
   - 在数字电路和功率管理模块中,PDTA123JU,115 可用作开关元件,控制电流的通断。
   - 例如,在继电器驱动、LED 驱动或小型电机控制等场景中,它能提供高效的开关功能。

 3. 电源管理
   - 该晶体管可用于线性稳压器或简单的电压调节电路中,帮助维持输出电压的稳定性。
   - 在一些低功耗设备中,它可以用作电流限制或过流保护的组件。

 4. 音频设备
   - 在便携式音频设备(如收音机、耳机放大器)中,PDTA123JU,115 能够处理小信号的放大,确保声音清晰且失真低。

 5. 传感器接口
   - 用于将微弱的传感器信号放大到适合后续处理的水平,例如在温度传感器、压力传感器或光敏传感器的信号调理电路中。

 6. 无线通信
   - 在低功率射频(RF)模块中,这款晶体管可以作为缓冲器或驱动级,增强信号强度并减少干扰。

 7. 消费电子
   - 广泛应用于各种消费电子产品,如遥控器、玩具、智能家居设备等,提供可靠的小信号处理和控制功能。

PDTA123JU,115 的预偏置特性简化了电路设计,降低了对复杂外部偏置电路的需求,因此特别适合需要快速开发和低成本解决方案的应用场合。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323

产品分类

晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式

品牌

NXP Semiconductors

数据手册

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产品图片

产品型号

PDTA123JU,115

PCN设计/规格

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rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

100mV @ 250µA, 5mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

100 @ 10µA, 5V

供应商器件封装

SOT-323

其它名称

568-11232-1

功率-最大值

200mW

包装

剪切带 (CT)

安装类型

表面贴装

封装/外壳

SC-70,SOT-323

晶体管类型

PNP - 预偏压

标准包装

1

电压-集射极击穿(最大值)

50V

电流-集电极(Ic)(最大值)

100mA

电流-集电极截止(最大值)

100nA(ICBO)

电阻器-发射极基底(R2)(Ω)

47k

电阻器-基底(R1)(Ω)

2.2k

频率-跃迁

-

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