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Datasheet下载- 型号： PDTA123JU,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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PDTA123JU,115产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PDTA123JU,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PDTA123JU,115价格参考。NXP SemiconductorsPDTA123JU,115封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置， Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200mW Surface Mount SC-70。您可以下载PDTA123JU,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PDTA123JU,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PDTA123JU,115 是 NXP USA Inc. 推出的一款数字晶体管（Digital Transistor, DTR），属于带内置偏置电阻的NPN型双极结型晶体管（BJT），常被归类为“晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个”。其内部集成R1=2.2kΩ（基极-输入电阻）和R2=47kΩ（基极-发射极下拉电阻），具备逻辑电平直接驱动能力。 主要应用场景包括： ✅ 数字开关电路：广泛用于微控制器（如Arduino、STM32、NXP MCU）I/O口驱动LED、小型继电器、蜂鸣器或低功耗负载，无需外置基极电阻，简化PCB设计； ✅ 电平转换与信号缓冲：在3.3V/5V系统中实现逻辑电平适配与电流放大； ✅ 消费电子与家电控制：如打印机、电视待机电源管理、智能插座、小家电的面板按键扫描或状态指示驱动； ✅ 工业I/O模块：作为PLC输入信号调理或输出端隔离驱动元件（配合光耦使用）； ✅ 电池供电设备：因关断漏电流极低（IB < 100nA），适合低功耗待机应用。 该器件采用SOT323超小型封装（2.1×1.3×0.95mm），适用于高密度便携式设备。需注意：不适用于线性放大或大电流（IC max = 100mA）、高电压（VCEO = 50V）场景，典型开关应用中建议负载电流≤50mA以确保可靠饱和导通。 综上，PDTA123JU,115 是一款面向嵌入式系统低成本、高集成度数字开关需求的优选器件。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PDTA123JU,115 |
| PCN设计/规格 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 100mV @ 250µA， 5mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 100 @ 10µA， 5V |
| 供应商器件封装 | SOT-323 |
| 其它名称 | 568-11232-1 |
| 功率-最大值 | 200mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-70，SOT-323 |
| 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 100nA（ICBO） |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 47k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 2.2k |
| 频率-跃迁 | - |
