Datasheet下载- 型号： RN1402S,LF
- 制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供RN1402S,LF由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RN1402S,LF价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.RN1402S,LF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载RN1402S,LF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有RN1402S,LF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Toshiba Semiconductor and Storage生产的RN1402S,LF是一款预偏置的双极型晶体管（BJT），属于单晶体管类别。该型号的应用场景主要集中在需要高频率、低噪声和稳定性能的电子电路中，具体应用场景包括： 1. 射频（RF）放大器：RN1402S,LF适用于高频信号放大的场合，例如无线通信设备、对讲机或无线电接收器中的前置放大器。其低噪声特性能够有效提升信号质量。 2. 音频设备：在高品质音频处理领域，如麦克风前置放大器或低噪声音频电路中，这款晶体管可以提供清晰且失真小的声音信号放大。 3. 传感器信号调理：用于将微弱的传感器输出信号进行初步放大，例如医疗设备（心电图仪、血压计等）或工业检测仪器中，确保后续处理的信号具有更高的信噪比。 4. 数据通信与调制解调器：在高速数据传输系统中，作为信号放大或缓冲元件，帮助维持信号完整性并减少干扰。 5. 测试与测量仪器：在精密测量设备中，如示波器前端或信号发生器中，RN1402S,LF可用于实现稳定的信号放大功能。 6. 混频器与振荡器：在需要生成或转换频率的电路中，这款晶体管可作为关键组件参与构建高性能的混频器或振荡器。 由于RN1402S,LF是预偏置设计，它简化了电路设计过程，降低了对外部偏置电路的要求，同时提高了系统的可靠性和一致性。这使得它特别适合那些对稳定性、小型化和高效能有较高要求的应用环境。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANSISTOR NPN 50V 100MA S-MINI开关晶体管 - 偏压电阻器 50V VCBO 50V VCEO 100mA IC 200mW 4.7k |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式分离式半导体 |
| 品牌 | ToshibaToshiba Semiconductor and Storage |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,Toshiba RN1402S,LF- |
| 数据手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1401 |
| 产品型号 | RN1402S,LFRN1402S,LF |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 300mV @ 250µA， 5mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 50 @ 10mA，5V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=30223 |
| 产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
| 供应商器件封装 | S-Mini |
| 其它名称 | RN1402SLFCT |
| 典型输入电阻器 | 10 kOhms |
| 功率-最大值 | 200mW |
| 功率耗散 | 200 mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | Toshiba |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SC-59 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 10k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 10k |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 50 A |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 集电极连续电流 | 100 mA |
| 频率-跃迁 | 250MHz |
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