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Datasheet下载- 型号： RN1105ACT(TPL3)
- 制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供RN1105ACT(TPL3)由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RN1105ACT(TPL3)价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.RN1105ACT(TPL3)封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载RN1105ACT(TPL3)参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有RN1105ACT(TPL3) 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Toshiba Semiconductor and Storage的RN1105ACT(TPL3)是一款预偏置的双极型晶体管（BJT），属于单晶体管类别。其应用场景主要包括以下几个方面： 1. 开关电路：RN1105ACT(TPL3)可用于设计高效的开关电路，适用于需要快速切换状态的场景，例如电源管理模块中的开关控制。 2. 信号放大：该晶体管适合用于音频设备、传感器信号处理等需要低噪声和高增益放大的应用中。它能够提供稳定的信号放大功能，确保输出信号的质量。 3. 驱动电路：在小型电机驱动、LED驱动或继电器驱动等场合，这款晶体管可以作为驱动元件，将微弱的控制信号转化为足够强的电流来驱动负载。 4. 电源稳压：RN1105ACT(TPL3)可以应用于线性稳压器中，帮助维持输出电压稳定，适用于对电压波动敏感的电子设备。 5. 保护电路：利用其特性，可以构建过流保护、短路保护等功能模块，保障整个系统的安全性。 6. 通信设备：在某些通信系统中，该晶体管可被用来实现高频信号的调制与解调，支持数据传输过程中的关键操作。 总之，RN1105ACT(TPL3)凭借其优异的性能参数，在消费类电子产品、工业自动化控制以及通信技术等领域都有广泛的应用价值。具体使用时需根据实际需求选择合适的外围电路配置以发挥最佳效果。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRAN NPN CST3 50V 100A |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 数据手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1105ACT |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | RN1105ACT(TPL3) |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 150mV @ 250µA， 5mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 80 @ 10mA，5V |
| 供应商器件封装 | CST3 |
| 其它名称 | RN1105ACT(TPL3)DKR |
| 功率-最大值 | 100mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-101，SOT-883 |
| 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 80mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 47k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 2.2k |
| 频率-跃迁 | - |
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