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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供RN2101ACT(TPL3)由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RN2101ACT(TPL3)价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.RN2101ACT(TPL3)封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载RN2101ACT(TPL3)参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有RN2101ACT(TPL3) 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Toshiba半导体与存储品牌下的RN2101ACT(TPL3)是一款预偏置双极晶体管(BJT),集成了内置偏置电阻的NPN型晶体管,适用于多种小型信号开关与放大场景。该器件常用于便携式电子设备和高密度电路设计中。 典型应用场景包括:手机、平板电脑、可穿戴设备等消费类电子产品中的信号切换与逻辑控制;各类传感器接口电路中作为电平转换或驱动元件;LED驱动电路中实现简单的开关控制;以及在电源管理模块中用于启停控制或负载切换。由于其内置偏置电阻,简化了外部电路设计,减少了元器件数量,提高了系统可靠性,特别适合空间受限的高集成度应用。 此外,RN2101ACT(TPL3)也广泛应用于家用电器控制板、办公设备(如打印机、扫描仪)的继电器或电机驱动电路中,作为低功率开关使用。其SOT-23封装体积小巧,便于自动化贴装,适合大规模生产。 总体而言,该型号凭借高可靠性、小尺寸和易用性,成为现代电子设备中理想的通用型预偏置晶体管解决方案。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | TRAN PNP CST3 50V 100A |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
品牌 | Toshiba Semiconductor and Storage |
数据手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2101ACT |
产品图片 | |
产品型号 | RN2101ACT(TPL3) |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 150mV @ 500µA, 5mA |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 30 @ 10mA,5V |
供应商器件封装 | CST3 |
其它名称 | RN2101ACT(TPL3)DKR |
功率-最大值 | 100mW |
包装 | Digi-Reel® |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | SC-101,SOT-883 |
晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
标准包装 | 1 |
电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 80mA |
电流-集电极截止(最大值) | 500nA |
电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 4.7k |
电阻器-基底(R1)(Ω) | 4.7k |
频率-跃迁 | - |