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Datasheet下载- 型号： DTA114TETL
- 制造商： ROHM Semiconductor
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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DTA114TETL产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供DTA114TETL由ROHM Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DTA114TETL价格参考。ROHM SemiconductorDTA114TETL封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置， Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - 预偏压 50V 100mA 250MHz 150mW 表面贴装 EMT3。您可以下载DTA114TETL参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有DTA114TETL 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Rohm Semiconductor的DTA114TETL是一款预偏置双极晶体管（BJT），属于NPN型，内置基极和发射极电阻，简化了电路设计。该器件广泛应用于便携式电子设备和消费类电子产品中。 主要应用场景包括：开关电路，如LED驱动、继电器或小功率负载的控制；信号放大电路，适用于音频或低频信号处理；逻辑电平转换，用于微控制器与外围器件之间的接口匹配；以及各类小型电子设备中的电源管理与驱动控制。 由于其内置偏置电阻，DTA114TETL无需外接偏置元件，减少了PCB占用空间，提高了可靠性，特别适合高密度贴装的便携设备，如智能手机、平板电脑、可穿戴设备和无线耳机等。同时，该器件具有良好的开关特性与稳定性，工作温度范围宽，适应工业与消费级环境。 综上，DTA114TETL凭借其集成化设计、小尺寸封装（如SOT-23）和高可靠性，广泛用于需要高效、紧凑解决方案的低压、低电流电子系统中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANS PREBIAS PNP 150MW EMT3开关晶体管 - 偏压电阻器 PNP 50V 100MA |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式分离式半导体 |
| 品牌 | Rohm Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,ROHM Semiconductor DTA114TETL- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | DTA114TETL |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 300mV @ 1mA，10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 100 @ 1mA，5V |
| 产品目录绘图 |
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| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
| 供应商器件封装 | EMT3 |
| 其它名称 | DTA114TETLCT |
| 典型输入电阻器 | 10 kOhms |
| 功率-最大值 | 150mW |
| 功率耗散 | 150 mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 发射极-基极电压VEBO | - 5 V |
| 商标 | ROHM Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-75，SOT-416 |
| 封装/箱体 | EMT-3 |
| 峰值直流集电极电流 | - 100 mA |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA（ICBO） |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | - |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 10k |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 100 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | - 50 V |
| 集电极连续电流 | - 100 mA |
| 频率-跃迁 | 250MHz |
