Datasheet下载- 型号： PDTC124XMB,315
- 制造商： NXP Semiconductors
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PDTC124XMB,315由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PDTC124XMB,315价格参考。NXP SemiconductorsPDTC124XMB,315封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PDTC124XMB,315参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PDTC124XMB,315 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PDTC124XMB,315 是 Nexperia 推出的一款数字晶体管（预偏置 NPN 双极型晶体管），内置基极-发射极电阻（R₁=22 kΩ）和基极-集电极反馈电阻（R₂=47 kΩ），具备内置偏置网络，无需外接偏置电阻，简化电路设计。 典型应用场景包括： ✅ 逻辑电平接口转换：将微控制器（如 3.3V/5V GPIO）输出直接驱动中等负载（如LED、继电器线圈、小功率MOSFET栅极），实现电平适配与电流放大； ✅ 开关控制电路：广泛用于消费电子（机顶盒、打印机、家电控制板）、工业控制模块中的低功耗开关，支持高达100 mA的连续集电极电流（IC），开关响应快、可靠性高； ✅ 信号调理与状态指示：驱动LED指示灯、蜂鸣器或光电耦合器输入端，利用其内置电阻确保稳定导通/截止，避免因MCU驱动能力不足导致的误触发； ✅ 空间受限的便携设备：采用超小型无引脚SOT883（0.8×0.6×0.4 mm）封装，适合高密度PCB布局，如TWS耳机充电仓、智能穿戴设备、IoT传感器节点等。 该器件具有高增益（hFE≈60–250 @ IC=10 mA）、低饱和压降（VCE(sat)≤0.15 V @ IC=10 mA）、优良的ESD防护（HBM ±4 kV）及AEC-Q101车规级可靠性认证（部分批次），亦适用于车载信息娱乐系统中的非安全关键开关应用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN 250MW 3DFN |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PDTC124XMB,315 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 150mV @ 500µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 80 @ 5A，5V |
| 供应商器件封装 | 3-DFN1006B（0.6x1） |
| 其它名称 | 934065941315 |
| 功率-最大值 | 250mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 3-XFDFN |
| 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
| 标准包装 | 10,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 1µA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 47k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 22k |
| 频率-跃迁 | 230MHz |
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