ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 > DDTD142JU-7-F
Datasheet下载- 型号： DDTD142JU-7-F
- 制造商： Diodes Inc.
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DDTD142JU-7-F产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供DDTD142JU-7-F由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DDTD142JU-7-F价格参考。Diodes Inc.DDTD142JU-7-F封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置， Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 500mA 200MHz 200mW Surface Mount SOT-323。您可以下载DDTD142JU-7-F参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有DDTD142JU-7-F 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为DDTD142JU-7-F的晶体管，属于Diodes Incorporated品牌下的双极型晶体管（BJT）类别，且为内置预偏置电阻的单管结构。该器件常用于以下几种典型应用场景： 1. 开关电路：由于其内置偏置电阻，可简化外围电路设计，适合用于数字开关电路中，例如逻辑电平转换、驱动LED或小型继电器等。 2. 放大电路：适用于小信号放大场合，如音频前置放大、传感器信号调理等低频模拟电路中。 3. 电源管理电路：在电源控制电路中作为开关元件，用于负载切换或电流控制。 4. 嵌入式系统与消费类电子产品：因其封装小巧（通常为SOT-23），适合用于空间受限的便携设备中，如手机、穿戴设备、家用电器等。 5. 工业控制：用于工业自动化系统中的信号控制、马达驱动或继电器驱动接口电路。 该晶体管具有较高的可靠性和稳定性，适合在较宽温度范围内工作，适用于对电路简化和稳定性有要求的中低功率应用场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | DDTD142JU-7-F |
| PCN设计/规格 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 300mV @ 2.5mA，50mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 56 @ 50mA，5V |
| 产品目录绘图 |
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| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | SOT-323 |
| 其它名称 | DDTD142JU-FDICT |
| 功率-最大值 | 200mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-70，SOT-323 |
| 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 500mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 10k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 470 |
| 频率-跃迁 | 200MHz |
