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RN1114(T5L,F,T)产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供RN1114(T5L,F,T)由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RN1114(T5L,F,T)价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.RN1114(T5L,F,T)封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount SSM。您可以下载RN1114(T5L,F,T)参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有RN1114(T5L,F,T) 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为 RN1114(T5L,F,T) 的晶体管,属于 Toshiba Semiconductor and Storage(东芝半导体与存储)品牌下的 预偏置双极性晶体管(BJT),其主要特点是内置偏置电阻,简化了电路设计,提高了稳定性。该器件常用于中低功率的开关和放大电路中。 应用场景包括: 1. 数字开关电路:由于内置偏置电阻,适合用于逻辑控制的开关应用,如微控制器输出驱动、继电器控制、LED驱动等。 2. 电源管理电路:用于DC-DC转换器、负载开关、电源切换等场合,起到开关控制作用。 3. 汽车电子系统:如车载传感器控制、车灯控制模块、电机驱动电路等,适应较为复杂的汽车工作环境。 4. 工业控制设备:用于PLC(可编程逻辑控制器)、传感器信号处理、继电器驱动等工业自动化场景。 5. 消费类电子产品:如家用电器中的电机控制、按键信号处理、风扇调速等。 6. 通信设备:用于信号路由、电平转换、缓冲放大等场合,适合在通信模块中实现简单而稳定的信号控制。 该晶体管因其集成度高、外围电路简单,广泛应用于需要小型化、高稳定性设计的各类电子系统中。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | TRANSISTOR NPN SSM |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
品牌 | Toshiba Semiconductor and Storage |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | RN1114(T5L,F,T) |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 300mV @ 250µA, 5mA |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 50 @ 10mA,5V |
供应商器件封装 | SSM |
其它名称 | RN1114(T5LFT)CT |
功率-最大值 | 100mW |
包装 | 剪切带 (CT) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | SC-75,SOT-416 |
晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
标准包装 | 1 |
电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
电流-集电极截止(最大值) | 500nA |
电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 10k |
电阻器-基底(R1)(Ω) | 1k |
频率-跃迁 | 250MHz |