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  • 型号: RN1114(T5L,F,T)
  • 制造商: Toshiba America Electronic Components, Inc.
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RN1114(T5L,F,T)产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供RN1114(T5L,F,T)由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RN1114(T5L,F,T)价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.RN1114(T5L,F,T)封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount SSM。您可以下载RN1114(T5L,F,T)参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有RN1114(T5L,F,T) 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

型号为 RN1114(T5L,F,T) 的晶体管,属于 Toshiba Semiconductor and Storage(东芝半导体与存储)品牌下的 预偏置双极性晶体管(BJT),其主要特点是内置偏置电阻,简化了电路设计,提高了稳定性。该器件常用于中低功率的开关和放大电路中。

 应用场景包括:

1. 数字开关电路:由于内置偏置电阻,适合用于逻辑控制的开关应用,如微控制器输出驱动、继电器控制、LED驱动等。

2. 电源管理电路:用于DC-DC转换器、负载开关、电源切换等场合,起到开关控制作用。

3. 汽车电子系统:如车载传感器控制、车灯控制模块、电机驱动电路等,适应较为复杂的汽车工作环境。

4. 工业控制设备:用于PLC(可编程逻辑控制器)、传感器信号处理、继电器驱动等工业自动化场景。

5. 消费类电子产品:如家用电器中的电机控制、按键信号处理、风扇调速等。

6. 通信设备:用于信号路由、电平转换、缓冲放大等场合,适合在通信模块中实现简单而稳定的信号控制。

该晶体管因其集成度高、外围电路简单,广泛应用于需要小型化、高稳定性设计的各类电子系统中。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANSISTOR NPN SSM

产品分类

晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式

品牌

Toshiba Semiconductor and Storage

数据手册

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产品图片

产品型号

RN1114(T5L,F,T)

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

300mV @ 250µA, 5mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

50 @ 10mA,5V

供应商器件封装

SSM

其它名称

RN1114(T5LFT)CT

功率-最大值

100mW

包装

剪切带 (CT)

安装类型

表面贴装

封装/外壳

SC-75,SOT-416

晶体管类型

NPN - 预偏压

标准包装

1

电压-集射极击穿(最大值)

50V

电流-集电极(Ic)(最大值)

100mA

电流-集电极截止(最大值)

500nA

电阻器-发射极基底(R2)(Ω)

10k

电阻器-基底(R1)(Ω)

1k

频率-跃迁

250MHz

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