Datasheet下载- 型号： MMUN2234LT1G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMUN2234LT1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMUN2234LT1G价格参考。ON SemiconductorMMUN2234LT1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MMUN2234LT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMUN2234LT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor 的 MMUN2234LT1G 是一款预偏置型双极结型晶体管（BJT），属于单NPN结构，集成内置偏置电阻，简化电路设计。该器件广泛应用于各类中小功率电子系统中，典型使用场景包括： 1. 开关电路：由于其内置偏置电阻，MMUN2234LT1G 可直接通过逻辑电平（如3.3V或5V）驱动，常用于微控制器与负载之间的接口开关，控制LED、继电器、小型电机等。 2. 信号放大：适用于低频小信号放大电路，如传感器信号调理、音频前置放大等场合。 3. 电源管理：在DC-DC转换器、电压检测和电源使能控制中用作通断控制元件，实现高效节能的电源切换。 4. 消费电子：广泛用于手机、平板、智能家居设备中的逻辑电平转换、负载开关和状态指示控制。 5. 工业控制：在PLC模块、传感器接口和继电器驱动电路中提供稳定可靠的开关功能。 6. 汽车电子：符合AEC-Q101标准，适用于车载信息娱乐系统、车身控制模块（如车灯控制、风扇驱动）等环境。 该器件采用SOT-23封装，体积小巧，适合高密度贴装；具备良好的温度稳定性和可靠性，工作温度范围宽（-55°C 至 +150°C），适用于严苛环境。其集成电阻设计减少了外围元件数量，降低整体成本并提高系统稳定性，是现代电子设计中理想的通用型预偏置晶体管解决方案。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23-3 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MMUN2234LT1G |
| PCN设计/规格 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 1mA，10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 80 @ 5mA，10V |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 功率-最大值 | 246mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 47k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 22k |
| 频率-跃迁 | - |
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