Datasheet下载- 型号： PDTC123YMB,315
- 制造商： NXP Semiconductors
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PDTC123YMB,315由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PDTC123YMB,315价格参考。NXP SemiconductorsPDTC123YMB,315封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PDTC123YMB,315参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PDTC123YMB,315 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PDTC123YMB,315 是 NXP USA Inc. 推出的一款预偏置 NPN 型双极结型晶体管（BJT），内置基极-发射极电阻（R₁=2.2 kΩ）和基极-集电极反馈电阻（R₂=10 kΩ），采用超小型 SOT883（0.6×0.3×0.3 mm）无引线封装，适用于空间受限的便携式电子设备。 其典型应用场景包括： ✅ 数字逻辑电平转换与接口驱动：如将 1.8 V/3.3 V MCU GPIO 信号安全、可靠地驱动 LED、蜂鸣器或小功率继电器； ✅ LED 指示灯控制：内置偏置电阻简化电路设计，无需外接基极电阻，降低 BOM 成本与 PCB 面积； ✅ 负载开关应用：在低功耗待机系统中作为高边/低边开关，控制传感器、RF 模块等外围器件的供电通断； ✅ 电池供电设备中的信号调理：如可穿戴设备、TWS 耳机、IoT 传感器节点中，用于按键检测、状态指示等低速开关功能； ✅ 替代传统“晶体管+两个电阻”方案：提升生产良率与装配效率，特别适合自动化贴片产线。 该器件具备低饱和压降（VCE(sat) ≤ 0.1 V @ IC=10 mA）、高直流电流增益（hFE = 35–50）、ESD 防护（HBM ≥ 4 kV）及宽工作温度范围（−55°C 至 +150°C），兼顾可靠性与能效。不适用于高频放大或大电流（＞100 mA）开关场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN 250MW 3DFN |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PDTC123YMB,315 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 150mV @ 500µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 35 @ 5mA，5V |
| 供应商器件封装 | 3-DFN1006B（0.6x1） |
| 其它名称 | 934065947315 |
| 功率-最大值 | 250mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 3-XFDFN |
| 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
| 标准包装 | 10,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 1µA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 10k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 2.2k |
| 频率-跃迁 | 230MHz |
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