Datasheet下载- 型号： MUN5113T3G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MUN5113T3G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MUN5113T3G价格参考。ON SemiconductorMUN5113T3G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MUN5113T3G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MUN5113T3G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MUN5113T3G是ON Semiconductor生产的一款预偏置NPN型双极结型晶体管（BJT），集成了内置偏置电阻，简化了电路设计。该器件广泛应用于各类中小功率电子系统中，适用于需要高可靠性和紧凑设计的场景。 典型应用场景包括： 1. 开关电路：常用于LED驱动、继电器控制、电源管理等开关应用，其内置偏置电阻可省去外部基极电阻，减少元件数量，提高可靠性。 2. 逻辑电平转换：在数字电路中实现不同电压逻辑信号之间的转换，如将微控制器输出信号放大以驱动更高负载。 3. 便携式设备：由于其小型化封装（SOT-23）和低功耗特性，广泛用于手机、平板、可穿戴设备等空间受限的电子产品中。 4. 消费类电子：应用于家电控制板、遥控器、传感器接口等，提供稳定信号放大与开关功能。 5. 工业控制：用于信号调理、小功率驱动及隔离电路，提升系统集成度与稳定性。 MUN5113T3G具有高增益、快速开关响应和良好的温度稳定性，适合在-55°C至+150°C的宽温范围内工作，满足严苛环境下的使用需求。其符合RoHS标准，支持无铅焊接，适用于现代绿色电子产品制造。总之，该器件凭借高集成度和高可靠性，成为众多基础电子系统中的理想选择。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MUN5113T3G |
| PCN设计/规格 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 300µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 80 @ 5mA，10V |
| 供应商器件封装 | SC-70-3（SOT323） |
| 功率-最大值 | 202mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-70，SOT-323 |
| 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
| 标准包装 | 10,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 47k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 47k |
| 频率-跃迁 | - |
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