Datasheet下载- 型号： MMUN2138LT1G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMUN2138LT1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMUN2138LT1G价格参考。ON SemiconductorMMUN2138LT1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MMUN2138LT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMUN2138LT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor（安森美）的MMUN2138LT1G是一款预偏置NPN型双极结型晶体管（BJT），集成了内置偏置电阻，简化了电路设计。该器件广泛应用于便携式电子设备和中低功率开关电路中。 典型应用场景包括：智能手机、平板电脑、可穿戴设备中的信号切换与逻辑控制；各类消费类电子产品中的LED驱动、继电器或小功率负载的开关控制；以及电源管理电路中的电平转换和接口驱动。由于其内置偏置电阻，无需外接基极电阻，有效减小PCB面积，提高可靠性，特别适合高密度贴装的便携设备。 此外，MMUN2138LT1G采用SOT-23封装，体积小，功耗低，具备良好的开关特性和温度稳定性，适用于工业控制、家用电器的小信号放大与数字开关应用。其高增益和快速响应特性也使其可用于传感器信号调理电路中。总体而言，该器件适用于需要小型化、高集成度和稳定性能的低电压、低电流控制场合。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS PNP 246MW SOT23-3 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MMUN2138LT1G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 300µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 160 @ 5mA，10V |
| 供应商器件封装 | SOT-23 |
| 功率-最大值 | 246mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | - |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 2.2k |
| 频率-跃迁 | - |
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