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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供DTC115EET1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DTC115EET1G价格参考。ON SemiconductorDTC115EET1G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载DTC115EET1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有DTC115EET1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor(安森美半导体)的DTC115EET1G是一款预偏置的双极型晶体管(BJT),属于单晶体管类别。其主要应用场景包括: 1. 开关电路:DTC115EET1G可用于设计高效的开关电路,例如在电源管理模块中作为开关元件,控制电流的通断。预偏置特性使其能够快速响应,适合高频开关应用。 2. 信号放大:该晶体管适用于低噪声、高增益的信号放大场景,例如音频设备中的前置放大器或传感器信号调理电路。其稳定的偏置设计确保了信号放大的线性度和可靠性。 3. 驱动电路:在需要驱动小型电机、继电器或其他负载的应用中,DTC115EET1G可以作为驱动级晶体管,提供足够的电流输出以满足负载需求。 4. 电源保护:该晶体管可用于过流保护或短路保护电路中,通过检测异常电流并迅速切断电路,从而保护系统免受损害。 5. 通信设备:在通信领域,DTC115EET1G可应用于射频(RF)前端模块中的低功率放大器,支持稳定的数据传输和信号处理。 6. 消费电子:这款晶体管广泛应用于消费电子产品中,如家用电器、遥控器、玩具等,用于控制和调节电流或电压。 7. 工业控制:在工业自动化系统中,DTC115EET1G可用于实现精确的电流控制或信号传递,支持各种传感器接口和执行器驱动。 总之,DTC115EET1G凭借其预偏置设计和稳定的性能,非常适合需要高效、可靠电流控制或信号放大的各类应用场合。具体使用时,需根据实际电路需求选择合适的外围元件以优化性能。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | TRANS PREBIAS NPN 200MW SC75开关晶体管 - 偏压电阻器 100mA 50V BRT NPN |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式分离式半导体 |
品牌 | ON Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,ON Semiconductor DTC115EET1G- |
数据手册 | |
产品型号 | DTC115EET1G |
PCN设计/规格 | |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 250mV @ 300µA, 10mA |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 80 @ 5mA,10V |
产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
供应商器件封装 | SC-75,SOT-416 |
其它名称 | DTC115EET1GOSCT |
典型电阻器比率 | 1 |
典型输入电阻器 | 100 kOhms |
功率-最大值 | 200mW |
功率耗散 | 0.2 W |
包装 | 剪切带 (CT) |
商标 | ON Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | SC-75,SOT-416 |
封装/箱体 | SC-75-3 |
峰值直流集电极电流 | 100 mA |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | NPN |
晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
电流-集电极截止(最大值) | 500nA |
电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 100k |
电阻器-基底(R1)(Ω) | 100k |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 80 |
系列 | DTC115EE |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
集电极连续电流 | 0.1 A |
频率-跃迁 | - |