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  • 型号: DTC115EET1G
  • 制造商: ON Semiconductor
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供DTC115EET1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DTC115EET1G价格参考。ON SemiconductorDTC115EET1G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载DTC115EET1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有DTC115EET1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

ON Semiconductor(安森美半导体)的DTC115EET1G是一款预偏置的双极型晶体管(BJT),属于单晶体管类别。其主要应用场景包括:

1. 开关电路:DTC115EET1G可用于设计高效的开关电路,例如在电源管理模块中作为开关元件,控制电流的通断。预偏置特性使其能够快速响应,适合高频开关应用。

2. 信号放大:该晶体管适用于低噪声、高增益的信号放大场景,例如音频设备中的前置放大器或传感器信号调理电路。其稳定的偏置设计确保了信号放大的线性度和可靠性。

3. 驱动电路:在需要驱动小型电机、继电器或其他负载的应用中,DTC115EET1G可以作为驱动级晶体管,提供足够的电流输出以满足负载需求。

4. 电源保护:该晶体管可用于过流保护或短路保护电路中,通过检测异常电流并迅速切断电路,从而保护系统免受损害。

5. 通信设备:在通信领域,DTC115EET1G可应用于射频(RF)前端模块中的低功率放大器,支持稳定的数据传输和信号处理。

6. 消费电子:这款晶体管广泛应用于消费电子产品中,如家用电器、遥控器、玩具等,用于控制和调节电流或电压。

7. 工业控制:在工业自动化系统中,DTC115EET1G可用于实现精确的电流控制或信号传递,支持各种传感器接口和执行器驱动。

总之,DTC115EET1G凭借其预偏置设计和稳定的性能,非常适合需要高效、可靠电流控制或信号放大的各类应用场合。具体使用时,需根据实际电路需求选择合适的外围元件以优化性能。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

TRANS PREBIAS NPN 200MW SC75开关晶体管 - 偏压电阻器 100mA 50V BRT NPN

产品分类

晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式分离式半导体

品牌

ON Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,ON Semiconductor DTC115EET1G-

数据手册

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产品型号

DTC115EET1G

PCN设计/规格

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不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

250mV @ 300µA, 10mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

80 @ 5mA,10V

产品种类

开关晶体管 - 偏压电阻器

供应商器件封装

SC-75,SOT-416

其它名称

DTC115EET1GOSCT

典型电阻器比率

1

典型输入电阻器

100 kOhms

功率-最大值

200mW

功率耗散

0.2 W

包装

剪切带 (CT)

商标

ON Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

SC-75,SOT-416

封装/箱体

SC-75-3

峰值直流集电极电流

100 mA

工厂包装数量

3000

晶体管极性

NPN

晶体管类型

NPN - 预偏压

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

电压-集射极击穿(最大值)

50V

电流-集电极(Ic)(最大值)

100mA

电流-集电极截止(最大值)

500nA

电阻器-发射极基底(R2)(Ω)

100k

电阻器-基底(R1)(Ω)

100k

直流集电极/BaseGainhfeMin

80

系列

DTC115EE

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

50 V

集电极连续电流

0.1 A

频率-跃迁

-

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