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Datasheet下载- 型号： PDTC114EE,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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PDTC114EE,115产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PDTC114EE,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PDTC114EE,115价格参考。NXP SemiconductorsPDTC114EE,115封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置， Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 230MHz 150mW Surface Mount SC-75。您可以下载PDTC114EE,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PDTC114EE,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NXP USA Inc. 生产的 PDTC114EE,115 是一款预偏置的双极型晶体管（BJT），属于单晶体管类别。该型号的主要应用场景包括： 1. 开关应用：PDTC114EE,115 适用于各种开关电路，例如继电器驱动、LED 驱动和小型电机控制。其预偏置特性使得它在开关模式下能够快速且稳定地工作。 2. 信号放大：该晶体管可用于音频信号放大器中，作为前置放大器或中间级放大器的一部分，提供增益并改善信号质量。 3. 保护电路：在过流保护和短路保护电路中，PDTC114EE,115 可以用作关键的开关元件，确保系统在异常情况下安全断开。 4. 电源管理：在低功率电源管理系统中，这款晶体管可以用于电压调节器或电流限制电路，帮助维持系统的稳定运行。 5. 传感器接口：在传感器信号调理电路中，PDTC114EE,115 可用于放大微弱的传感器输出信号，以便后续处理。 6. 通信设备：在一些低频通信设备中，该晶体管可以用作调制解调器中的放大或开关元件。 由于其预偏置设计，PDTC114EE,115 在需要快速响应和高稳定性的电路中表现优异，同时简化了设计和调试过程。这种晶体管广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子以及家用电器等领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN 150MW SC75开关晶体管 - 偏压电阻器 TRANS RET TAPE-7 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,NXP Semiconductors PDTC114EE,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PDTC114EE,115 |
| PCN封装 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 150mV @ 500µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 30 @ 5mA，5V |
| 产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
| 供应商器件封装 | SC-75 |
| 其它名称 | 568-8090-2 |
| 典型电阻器比率 | 1 |
| 典型输入电阻器 | 10 kOhms |
| 功率-最大值 | 150mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-75，SOT-416 |
| 封装/箱体 | SOT-416-3 |
| 峰值直流集电极电流 | 100 mA |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 1µA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 10k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 10k |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 零件号别名 | PDTC114EE T/R |
| 频率-跃迁 | 230MHz |
