Datasheet下载- 型号： PDTA123EM,315
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PDTA123EM,315由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PDTA123EM,315价格参考。NXP SemiconductorsPDTA123EM,315封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PDTA123EM,315参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PDTA123EM,315 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PDTA123EM,315 是 NXP USA Inc. 推出的一款内置基极-发射极偏置电阻（R1=2.2 kΩ，R2=2.2 kΩ）的NPN型数字晶体管（Digital Transistor, DTR），属于预偏置双极结型晶体管（BJT）单管。其典型应用场景包括： 1. 逻辑电平接口转换：可直接连接微控制器（如GPIO）驱动LED、继电器或小功率负载，无需外置偏置电阻，简化PCB设计； 2. 开关应用：在消费电子（如手机、耳机、智能穿戴设备）中用作低功耗负载开关，支持最大500 mA集电极电流（IC），饱和压降低（VCE(sat) ≈ 0.1 V @ IB=5 mA），提升能效； 3. 信号调理与电平位移：用于I²C、UART等总线的上拉/缓冲，或3.3 V系统驱动5 V外围器件； 4. 便携式设备电源管理：在电池供电设备中控制背光、振动马达或传感器使能信号，具备高直流电流增益（hFE≈100 @ IC=10 mA），确保可靠饱和导通； 5. 工业控制模块：适用于PLC输入级、光电耦合器驱动等中低速开关场合（fT≈250 MHz，满足一般开关需求）。 该器件采用SOT-323（SC-70）小型封装，节省空间，符合RoHS标准，适用于高密度、低成本、快速开发的嵌入式系统。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT883 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PDTA123EM,315 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 150mV @ 500µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 30 @ 20mA，5V |
| 供应商器件封装 | SOT-883 |
| 其它名称 | 568-2117-1 |
| 功率-最大值 | 250mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-101，SOT-883 |
| 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 1µA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 2.2k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 2.2k |
| 频率-跃迁 | - |
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