Datasheet下载- 型号： RN1105MFV,L3F
- 制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供RN1105MFV,L3F由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RN1105MFV,L3F价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.RN1105MFV,L3F封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载RN1105MFV,L3F参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有RN1105MFV,L3F 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Toshiba Semiconductor and Storage 的 RN1105MFV,L3F 是一款预偏置的单晶体管 - 双极型晶体管（BJT），其主要应用场景包括以下方面： 1. 信号放大：RN1105MFV,L3F 适合用于低噪声、高增益的信号放大电路，例如音频设备中的前置放大器或传感器信号放大。预偏置设计使其能够稳定工作在特定的偏置点，从而实现更精确的信号处理。 2. 开关应用：该晶体管可用于开关电路中，如继电器驱动、LED 驱动或小型电机控制。由于其预偏置特性，可以简化驱动电路设计，提高开关速度和效率。 3. 电源管理：在一些简单的线性稳压器或电流限制电路中，RN1105MFV,L3F 可以用作关键的调节元件，确保输出电压或电流的稳定性。 4. 通信设备：在低功率射频（RF）或中频（IF）电路中，这款 BJT 可用于信号调制、解调或混频操作，适用于对频率响应要求较高的场合。 5. 工业控制：该晶体管可应用于工业自动化设备中的信号隔离与传输，或者作为逻辑电平转换器的一部分，实现不同电压系统的兼容。 6. 消费电子产品：在便携式电子设备中，RN1105MFV,L3F 可用于电池管理、音频处理或其他需要高效能晶体管的场景。 总体而言，RN1105MFV,L3F 凭借其预偏置特性和稳定的性能表现，广泛适用于需要精确控制和高效工作的各种电子电路中。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS NPN PRE-BIAS 50V VESM |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | RN1105MFV,L3F |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 300mV @ 500µA， 5mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 80 @ 10mA，5V |
| 供应商器件封装 | VESM |
| 其它名称 | RN1105MFV(TL3T)CT |
| 功率-最大值 | 150mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-723 |
| 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 47k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 2.2k |
| 频率-跃迁 | - |
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