Datasheet下载- 型号： MUN5136T1G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MUN5136T1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MUN5136T1G价格参考。ON SemiconductorMUN5136T1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MUN5136T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MUN5136T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MUN5136T1G是安森美（ON Semiconductor）生产的一款预偏置双极性晶体管（BJT），属于带内置偏置电阻的数字晶体管。该器件集成了一个NPN晶体管和两个片上电阻（通常为基极-地之间的下拉电阻和基极串联电阻），简化了电路设计，无需外部偏置元件。 主要应用场景包括： 1. 开关电路：适用于低功率开关应用，如控制LED、继电器、小型电机或逻辑信号切换，因其集成电阻可直接由微控制器或数字IC驱动，提高可靠性并减少元件数量。 2. 电源管理：用于电源通断控制、负载开关或电压电平转换电路中，实现高效、紧凑的电源控制方案。 3. 消费类电子产品：广泛应用于手机、平板、智能家居设备等便携式产品中，用于信号控制与接口驱动，因其小型化封装（如SOT-23）节省PCB空间。 4. 工业控制与汽车电子：在汽车传感器模块、车身控制单元（如车灯控制）、工业自动化设备中，用于信号放大与开关操作，具备良好的温度稳定性和可靠性。 5. 逻辑接口与驱动电路：作为逻辑门与高电流负载之间的缓冲/驱动级，实现TTL或CMOS电平到负载的高效驱动。 MUN5136T1G具有高增益、快速开关响应和可靠的热稳定性，适合需要小型化、高集成度和低成本解决方案的应用场景。其预偏置设计显著降低设计复杂度，提升生产一致性，广泛用于现代电子系统中的信号控制与功率切换领域。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MUN5136T1G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 300µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 80 @ 5mA，10V |
| 供应商器件封装 | * |
| 功率-最大值 | 202mW |
| 包装 | * |
| 安装类型 | * |
| 封装/外壳 | * |
| 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 100k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 100k |
| 频率-跃迁 | - |
推荐商品
热门文章
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
MUN5136T1G 相关产品
猜你喜欢
最新产品推荐
其他制造商