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详细数据请看参考数据手册
- 型号： PDTA114EMB,315
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PDTA114EMB,315由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PDTA114EMB,315价格参考。NXP SemiconductorsPDTA114EMB,315封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PDTA114EMB,315参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PDTA114EMB,315 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PDTA114EMB,315 是 NXP USA Inc. 推出的一款预偏置 NPN 型双极结型晶体管（BJT），内置基极-发射极电阻（R₁=10 kΩ）和基极-集电极反馈电阻（R₂=10 kΩ），采用超小型 SOT-883（SC-107C）封装。其典型应用场景包括： 1. 数字逻辑接口与电平转换：常用于微控制器（MCU）、FPGA 或逻辑IC的I/O端口驱动，实现3.3V/5V TTL/CMOS信号对LED、继电器或小功率MOSFET的开关控制； 2. LED驱动电路：因集成偏置电阻，可直接由GPIO驱动，简化外围设计，适用于便携设备背光、状态指示灯等低电流（≤100 mA）应用； 3. 负载开关与信号切换：在电池供电设备（如可穿戴设备、IoT传感器节点）中作为低功耗、高可靠性开关，替代分立三极管+电阻方案； 4. 输入信号调理与缓冲：用于抗干扰弱信号整形（如按键消抖、光电开关输出整形），提升系统稳定性。 该器件具有低饱和压降（VCE(sat) ≈ 0.1 V @ IC=10 mA）、高直流电流增益（hFE = 160–450）、ESD防护（HBM ±4 kV）及宽工作温度范围（−55°C 至 +150°C），特别适合空间受限、需高集成度与可靠性的消费电子、工业控制及汽车电子（非安全关键子系统）领域。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS PNP 250MW 3DFN |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PDTA114EMB,315 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 150mV @ 500µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 30 @ 5mA，5V |
| 供应商器件封装 | 3-DFN1006B（0.6x1） |
| 其它名称 | 934065884315 |
| 功率-最大值 | 250mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 3-XFDFN |
| 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
| 标准包装 | 10,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 1µA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 10k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 10k |
| 频率-跃迁 | 180MHz |
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