Datasheet下载- 型号： MUN2136T1G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MUN2136T1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MUN2136T1G价格参考。ON SemiconductorMUN2136T1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MUN2136T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MUN2136T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MUN2136T1G是安森美（ON Semiconductor）生产的一款预偏置双极性晶体管（BJT），属于数字晶体管类型，内部集成基极和发射极电阻，简化电路设计。该器件采用SOT-23封装，体积小巧，适合高密度贴装。 其主要应用场景包括： 1. 开关电路：由于内置偏置电阻，MUN2136T1G可直接通过逻辑电平（如3.3V或5V）驱动，广泛用于各类电子设备中的信号开关、电源通断控制等场合，如便携式设备的LED驱动或负载开关。 2. 逻辑电平转换：在不同电压逻辑系统之间进行信号转换时，该晶体管可作为接口元件，实现低电压控制高电压电路的功能，常见于微控制器与外围设备之间的通信接口。 3. 驱动小型继电器或指示灯：适用于需要小电流驱动的小型继电器、蜂鸣器或LED指示灯控制，因其集成电阻减少了外部元件数量，提高了可靠性并节省PCB空间。 4. 消费类电子产品：广泛应用于手机、平板、智能家居设备、玩具等对成本和空间敏感的产品中，执行简单的放大或开关功能。 5. 工业控制与传感器模块：在传感器信号调理、光电开关、位置检测等模块中，用于信号放大或输出驱动。 MUN2136T1G具有高可靠性、易于使用和稳定性强等特点，特别适合替代分立偏置电路，提升整体设计效率和产品良率。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS PNP 230MW SC59 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MUN2136T1G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 300µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 80 @ 5mA，10V |
| 供应商器件封装 | * |
| 功率-最大值 | 230mW |
| 包装 | * |
| 安装类型 | * |
| 封装/外壳 | * |
| 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 100k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 100k |
| 频率-跃迁 | - |
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