Datasheet下载- 型号： DDTC114TUA-7-F
- 制造商： Diodes Inc.
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供DDTC114TUA-7-F由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DDTC114TUA-7-F价格参考。Diodes Inc.DDTC114TUA-7-F封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载DDTC114TUA-7-F参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有DDTC114TUA-7-F 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Diodes Incorporated生产的型号为DDTC114TUA-7-F的晶体管属于双极型晶体管（BJT）类别，具体为单个预偏置晶体管。这种器件在多种电子电路中具有广泛的应用场景，以下是其主要应用场景： 1. 信号放大 - DDTC114TUA-7-F可用作信号放大器的核心元件，用于放大微弱的电信号。例如，在音频设备中，它可以将输入的低电平音频信号放大到足够驱动扬声器或其他音频输出设备的水平。 2. 开关应用 - 该晶体管可以作为电子开关使用，适用于各种数字电路和控制电路中。例如，在继电器驱动、LED驱动或电机控制等场景中，它可以通过导通或截止状态来控制负载的开启或关闭。 3. 电源管理 - 在直流-直流转换器或线性稳压器中，DDTC114TUA-7-F可以用作电流调节器或电压调整器，帮助稳定输出电压或电流，确保后端电路正常工作。 4. 传感器信号调理 - 在传感器系统中，该晶体管可用于放大传感器输出的微弱信号，以便后续处理或传输。例如，在温度传感器、压力传感器等应用中，它可以增强信号强度以提高检测精度。 5. 射频和通信设备 - 虽然该晶体管主要用于低频应用，但在某些射频前端电路中，它也可以用作小信号放大器或混频器的一部分，支持低功耗通信设备的设计。 6. 消费电子产品 - 在家用电器、遥控器、玩具等消费电子产品中，该晶体管常被用来实现简单的功能控制，如驱动小型电机、蜂鸣器或指示灯。 7. 工业自动化 - 在工业控制系统中，DDTC114TUA-7-F可以用于驱动电磁阀、步进电机或其他执行机构，实现对生产流程的精确控制。 8. 汽车电子 - 该晶体管也可应用于汽车电子系统中，例如车内照明控制、风扇速度调节或仪表盘显示驱动等场景。 总之，DDTC114TUA-7-F凭借其预偏置特性和稳定的性能表现，适合需要高可靠性和低成本解决方案的各种应用领域。选择具体应用场景时，需根据实际电路需求考虑其电气参数（如集电极电流、电压增益等）是否满足要求。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323开关晶体管 - 偏压电阻器 PRE-BIAS NPN 200mW |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式分离式半导体 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,Diodes Incorporated DDTC114TUA-7-F- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | DDTC114TUA-7-F |
| PCN设计/规格 | |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 300mV @ 100µA， 1mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 100 @ 1mA，5V |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
| 供应商器件封装 | SOT-323 |
| 其它名称 | DDTC114TUA-FDITR |
| 典型输入电阻器 | 10 kOhms |
| 功率-最大值 | 200mW |
| 功率耗散 | 0.2 W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 发射极-基极电压VEBO | 5 V |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-70，SOT-323 |
| 封装/箱体 | SOT-23-3 |
| 峰值直流集电极电流 | 100 mA |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA（ICBO） |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | - |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 10k |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 100 |
| 系列 | DDTC114T |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 集电极连续电流 | 0.1 A |
| 频率-跃迁 | 250MHz |
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