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Datasheet下载- 型号： FJN4305RTA
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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FJN4305RTA产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FJN4305RTA由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FJN4305RTA价格参考。Fairchild SemiconductorFJN4305RTA封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置， Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - 预偏压 50V 100mA 200MHz 300mW 通孔 TO-92-3。您可以下载FJN4305RTA参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FJN4305RTA 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor（安森美）的FJN4305RTA是一款预偏置双极结型晶体管（BJT），属于NPN型，集成内置偏置电阻，简化电路设计。该器件广泛应用于便携式电子设备和中低功率开关电路中。 典型应用场景包括：手机、平板电脑、笔记本电脑等消费类电子产品中的信号切换与逻辑控制；LCD背光驱动电路中的LED开关控制；小型电源管理模块中的电平转换与驱动功能；以及各类小型电机、继电器或传感器的驱动接口电路。由于其内置偏置电阻，无需外接基极电阻，节省PCB空间，特别适合高密度贴装的便携设备。 FJN4305RTA具有低导通电压、快速开关响应和良好的热稳定性，工作温度范围宽（-55°C至+150°C），适用于工业控制、汽车电子外围电路及家用电器中的小信号放大与数字开关应用。其SOT-563封装体积小巧，便于在紧凑型设备中使用。 总之，FJN4305RTA凭借高集成度、高可靠性和小尺寸优势，主要适用于需要简化设计、节省空间且对稳定性要求较高的低功耗电子系统。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANS PREBIAS PNP 300MW TO92-3开关晶体管 - 偏压电阻器 PNP Si Transistor Epitaxial |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式分离式半导体 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,Fairchild Semiconductor FJN4305RTA- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FJN4305RTA |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 300mV @ 500µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 30 @ 5mA，5V |
| 产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
| 供应商器件封装 | TO-92-3 |
| 其它名称 | FJN4305RTACT |
| 典型电阻器比率 | 0.47 |
| 典型输入电阻器 | 4.7 kOhms |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 功率耗散 | 0.3 W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 单位重量 | 240 mg |
| 发射极-基极电压VEBO | - 10 V |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Ammo Pack |
| 封装/外壳 | TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线 |
| 封装/箱体 | TO-92-3 Kinked Lead |
| 峰值直流集电极电流 | 100 mA |
| 工厂包装数量 | 2000 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 10k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 4.7k |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 30 |
| 系列 | FJN4305R |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 集电极连续电流 | - 0.1 A |
| 频率-跃迁 | 200MHz |
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