Datasheet下载- 型号： NSVMUN5132T1G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NSVMUN5132T1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NSVMUN5132T1G价格参考。ON SemiconductorNSVMUN5132T1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NSVMUN5132T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NSVMUN5132T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为 NSVMUN5132T1G 的晶体管由 ON Semiconductor 生产，属于 预偏置双极结型晶体管（BJT），其主要特点是内置偏置电阻，简化了电路设计，提高了稳定性和可靠性。 该器件主要应用于以下场景： 1. 开关电路：由于内置偏置电阻，NSVMUN5132T1G 可直接用于数字开关控制，如逻辑控制、继电器驱动、LED驱动等，无需额外配置偏置电路，节省PCB空间并降低成本。 2. 汽车电子系统：ON Semiconductor 的器件广泛用于汽车领域，该型号具备良好的温度稳定性和可靠性，适用于汽车中的传感器驱动、执行器控制、车载电源管理等应用。 3. 便携式设备与消费类电子产品：低功耗和小封装使其适用于手机、平板电脑、可穿戴设备等便携产品中的信号切换或低功率驱动电路。 4. 工业自动化控制：可用于工业控制系统中的继电器、小型马达、电磁阀等负载的驱动，提升系统集成度和稳定性。 5. 电源管理电路：作为开关元件用于DC-DC转换器、负载开关或电流检测电路中，有助于提高效率和简化设计。 综上所述，NSVMUN5132T1G 适用于需要简化设计、提高可靠性和节省空间的各类电子系统，特别是在汽车、工业和消费电子领域中具有广泛的应用价值。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NSVMUN5132T1G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 1mA，10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 15 @ 5mA，10V |
| 供应商器件封装 | SC-70-3 |
| 功率-最大值 | 202mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-70，SOT-323 |
| 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 4.7k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 4.7k |
| 频率-跃迁 | - |
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