ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 > RN1303(TE85L,F)
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Datasheet下载- 型号： RN1303(TE85L,F)
- 制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供RN1303(TE85L,F)由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RN1303(TE85L,F)价格参考￥0.44-￥0.45。Toshiba America Electronic Components, Inc.RN1303(TE85L,F)封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置， Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount USM。您可以下载RN1303(TE85L,F)参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有RN1303(TE85L,F) 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Toshiba Semiconductor and Storage的RN1303(TE85L,F)是一款预偏置的双极型晶体管（BJT），属于单晶体管类型。其应用场景主要包括以下方面： 1. 音频放大：该型号的晶体管适合用于低功率音频放大器中，能够提供稳定的增益和良好的线性性能，适用于耳机放大器、小型扬声器驱动等场景。 2. 信号放大与处理：RN1303可用于信号放大电路，例如传感器信号放大、射频信号预放大等。其预偏置特性使得它在特定工作条件下更容易实现稳定的直流偏置点。 3. 开关应用：尽管主要是放大用途，但该晶体管也可以用作简单的开关器件，在一些需要低功耗开关的应用中发挥作用，如LED驱动或小型继电器控制。 4. 电源管理：在某些小功率电源管理电路中，RN1303可以作为电流调节器或电压跟随器使用，帮助稳定输出电压或电流。 5. 工业控制：在工业自动化领域，该晶体管可用于控制小型电机、电磁阀或其他低功率负载，提供精确的电流控制。 6. 消费电子设备：RN1303广泛应用于各种消费类电子产品中，例如遥控器、玩具、便携式设备等，这些设备通常需要低功耗和高可靠性的晶体管。 总之，RN1303(TE85L,F)因其预偏置设计和稳定的性能表现，适合应用于低功耗、中小信号放大的场合，同时也能满足部分开关功能的需求。具体应用时需根据电路设计要求选择合适的外围元件以优化性能。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANSISTOR NPN USM开关晶体管 - 偏压电阻器 100mA 50volts 3Pin 22K x 22Kohms |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式分离式半导体 |
| 品牌 | ToshibaToshiba Semiconductor and Storage |
| 产品手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/lookup.jsp?pid=RN1303&lang=en |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,Toshiba RN1303(TE85L,F)- |
| 数据手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1302 |
| 产品型号 | RN1303(TE85L,F)RN1303(TE85L,F) |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 300mV @ 250µA， 5mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 70 @ 10mA，5V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=30223 |
| 产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
| 供应商器件封装 | USM |
| 其它名称 | RN1303(TE85LF)CT |
| 典型电阻器比率 | 1 |
| 典型输入电阻器 | 22 kOhms |
| 功率-最大值 | 100mW |
| 功率耗散 | 100 mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | Toshiba |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-70，SOT-323 |
| 封装/箱体 | VESM |
| 峰值直流集电极电流 | 100 mA |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 22k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 22k |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 70 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 集电极连续电流 | 100 mA |
| 频率-跃迁 | 250MHz |
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